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NTA4001NT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTA4001NT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTA4001NT1G价格参考¥0.28-¥0.73。ON SemiconductorNTA4001NT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 238mA(Tj) 300mW(Tj) SC-75,SOT-416。您可以下载NTA4001NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTA4001NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTA4001NT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。它属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合多种应用场景。以下是其主要的应用领域: 1. 电源管理 - NTA4001NT1G 常用于 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)和电压调节模块(VRM)。它的低导通电阻(Rds(on))能够减少功率损耗,提高转换效率。 - 可应用于笔记本电脑适配器、手机充电器和其他消费电子产品的电源管理系统。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动中,该 MOSFET 可用作开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。 - 适用于家用电器(如风扇、水泵)和工业设备中的无刷直流电机(BLDC)驱动电路。 3. 负载开关 - 作为负载开关,NTA4001NT1G 能够快速开启或关闭电路中的电流流动,保护后端电路免受过流或短路的影响。 - 广泛用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中。 4. 电池管理 - 在电池保护电路中,这款 MOSFET 可以用作充放电路径的开关,防止过充、过放或短路。 - 适用于锂离子电池组、UPS 系统和电动工具的电池管理系统。 5. 信号切换 - 在通信设备和音频系统中,NTA4001NT1G 可用于信号切换,实现不同信号源之间的快速切换。 - 例如,在多通道音频放大器中,它可以用来选择不同的输入信号。 6. 汽车电子 - 由于其出色的耐用性和可靠性,NTA4001NT1G 还可用于汽车电子应用,如 LED 照明控制、电动车窗驱动和车载信息娱乐系统。 特性总结: - 额定电压:30V,适合低压应用。 - 额定电流:18A,能够处理较高电流。 - 低 Rds(on):有助于降低功耗,提升系统效率。 - 高开关速度:支持高频操作,适应现代电子设备的需求。 总之,NTA4001NT1G 是一款性能优异的 N 沟道 MOSFET,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 238MA SOT-416MOSFET 20V 238mA N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 238 mA |
| Id-连续漏极电流 | 238 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTA4001NT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTA4001NT1G |
| Pd-PowerDissipation | 0.3 W |
| Pd-功率耗散 | 300 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 20pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 欧姆 @ 10mA,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-75,SOT-416 |
| 其它名称 | NTA4001NT1GOSCT |
| 典型关闭延迟时间 | 98 ns |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 0.3 W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.2 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
| 封装/箱体 | SC-75-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.08 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 238 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 238mA (Tj) |
| 系列 | NTA4001N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 10 V |