Datasheet下载- 型号： IXTP18P10T
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTP18P10T由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTP18P10T价格参考。IXYSIXTP18P10T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTP18P10T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTP18P10T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTP18P10T是一款P沟道功率MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管类别。该器件具有较高的电压和电流承受能力，耐压达100V，连续漏极电流可达18A，适合高功率开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和逆变器中，作为高效能的开关元件，实现电能的稳定转换与调节。 2. 电机驱动：适用于工业控制、电动工具及汽车电子中的直流电机和步进电机驱动电路，具备良好的热稳定性和快速响应特性。 3. 电池管理系统（BMS）：在电池充放电控制电路中用作保护开关，防止过流、短路和反向电流，提升系统安全性。 4. 逆变与UPS系统：用于不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中，承担能量回馈和功率切换功能，支持高频开关操作。 5. 工业与汽车电子：因其高可靠性和宽工作温度范围，适用于工业自动化设备及车载电源系统，如车载充电机或负载开关。 IXTP18P10T采用TO-247封装，散热性能良好，适合高功率密度设计。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功耗，提高系统效率。总体而言，该MOSFET适用于需要高可靠性、高效率和大电流开关能力的中高功率电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 18A TO-220MOSFET 18 Amps 100V 0.12 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 18 A |
| Id-连续漏极电流 | - 18 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTP18P10TTrenchP™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTP18P10T |
| Pd-PowerDissipation | 83 W |
| Pd-功率耗散 | 83 W |
| Qg-GateCharge | 39 nC |
| Qg-栅极电荷 | 39 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 120 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 120 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 4.5 V |
| 上升时间 | 26 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 120 毫欧 @ 9A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 44 ns |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.300 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | TrenchP |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
| 系列 | IXTP18P10 |
| 通道模式 | Enhancement |
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