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  • 型号: PSMN013-100YSEX
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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PSMN013-100YSEX产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN013-100YSEX由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN013-100YSEX价格参考。NXP SemiconductorsPSMN013-100YSEX封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 82A(Tj) 238W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载PSMN013-100YSEX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN013-100YSEX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V LFPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PSMN013-100YSEX

PCN组件/产地

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3775pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

16nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

13 毫欧 @ 20A,10V

供应商器件封装

LFPAK56, Power-SO8

其它名称

568-10284-2
934067544115
PSMN013-100YSEX-ND

功率-最大值

238W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-100,SOT-669,4-LFPAK

标准包装

1,500

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

82A (Tj)

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