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Datasheet下载- 型号： IRLR2905ZTRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR2905ZTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR2905ZTRPBF价格参考。International RectifierIRLR2905ZTRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLR2905ZTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR2905ZTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLR2905ZTRPBF是英飞凌（Infineon Technologies）生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。该型号具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 直流电机驱动：由于其低导通电阻特性，IRLR2905ZTRPBF非常适合用于小型直流电机的驱动电路中，能够有效降低功耗并提高效率。 2. 电源管理：在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和负载开关等应用中，该MOSFET可以作为高效的开关元件，实现快速开关和低损耗。 3. 电池管理系统（BMS）：用于锂离子电池或其他类型电池组的保护电路中，控制充放电过程中的电流流动，确保电池安全运行。 4. 汽车电子：在汽车电子领域，如电动窗户、座椅调节、雨刷系统等需要低功耗和高可靠性的应用中，IRLR2905ZTRPBF表现出色。 5. 信号切换与隔离：在需要高频信号切换的应用中，例如通信设备或工业控制系统，该器件可提供快速且稳定的信号传输能力。 6. 消费类电子产品：包括便携式设备（如平板电脑、智能手机充电器）和其他需要高效功率转换的小型家电中，也可广泛使用。 总之，IRLR2905ZTRPBF凭借其卓越的电气特性和可靠性，成为许多低电压、大电流应用的理想选择，在提升系统效率的同时降低了整体能耗。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 42A DPAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR2905ZTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR2905ZTRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 23 nC |
| Qg-栅极电荷 | 23 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 13.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 13.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 130 ns |
| 下降时间 | 33 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1570pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13.5 毫欧 @ 36A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | IRLR2905ZTRPBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 25 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 42A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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