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产品简介:
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IXYS品牌的IXTA70N075T2是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有70A连续漏极电流和75V漏源击穿电压。该器件适用于多种高效率、高功率密度的电力电子系统,其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,该MOSFET可提供高效能和低导通损耗,适用于中高功率输出设计。 2. 电机驱动系统:在直流电机、步进电机或无刷电机的控制电路中,IXTA70N075T2可用于实现高速开关控制,提供稳定的输出性能。 3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和光伏逆变器中,该器件可用于实现高效的电能转换与调节。 4. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制电路中,具备高可靠性和快速响应能力。 5. 工业自动化设备:如工业控制模块、负载开关、电源管理模块等,适用于需要高电流和高频开关性能的场合。 该MOSFET采用TO-220封装,便于散热和安装,适合在工业级环境温度下运行。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于降低功率损耗,提高系统效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 70A TO-263 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXTA70N075T2 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchT2™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2725pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12 毫欧 @ 25A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-263 (IXTA) |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 70A (Tc) |