Datasheet下载- 型号： FQB8N60CTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB8N60CTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB8N60CTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB8N60CTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB8N60CTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB8N60CTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB8N60CTM 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS） FQB8N60CTM 适合用于开关电源中的高频开关应用。它具有低栅极电荷和优化的 RDS(on) 特性，能够高效地实现电压转换，适用于 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器以及 PFC（功率因数校正）电路。 2. 电机驱动 该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。其高耐压能力（600V）使其能够在高压环境下稳定运行。 3. 逆变器 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，FQB8N60CTM 可以用作功率开关，将直流电转换为交流电，支持高效的能量转换过程。 4. 负载开关 由于其低导通电阻特性，该 MOSFET 可以用作负载开关，用于动态管理不同负载之间的电流分配，同时减少功率损耗。 5. 保护电路 在过流保护、短路保护等电路设计中，FQB8N60CTM 可充当关键的开关元件，快速响应异常情况并切断电流路径，从而保护整个系统。 6. 汽车电子 该器件满足汽车级应用的要求，可用于车载电子设备中，例如车窗升降器、雨刷控制器、座椅调节器等需要高压和高可靠性的场景。 7. 工业控制 在工业自动化领域，FQB8N60CTM 可应用于继电器替代方案、电磁阀驱动以及各类工业控制器中，提供高效的开关性能。 总结来说，FQB8N60CTM 凭借其高耐压、低导通电阻和优异的开关性能，在电力电子、汽车电子、工业控制及消费类电子产品中有广泛的应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAKMOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 7.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB8N60CTMQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQB8N60CTM |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.13 W |
| Pd-功率耗散 | 3.13 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 60.5 ns |
| 下降时间 | 64.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1255pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 3.75A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263（D2Pak） |
| 其它名称 | FQB8N60CTMFSCT |
| 典型关闭延迟时间 | 81 ns |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.2 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 8.7 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 7.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.5A （Tc） |
| 系列 | FQB8N60C |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQB8N60CTM_NL |
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