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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6609A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6609A价格参考。Fairchild SemiconductorFDS6609A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDS6609A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS6609A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS6609A 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款MOSFET器件,属于功率MOSFET类别,常用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用单N沟道结构,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适用于需要高效能和紧凑设计的电子设备。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:FDS6609A广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器等电源管理系统中,用于提高转换效率并减少能量损耗。 2. 负载开关:在电池供电设备中,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中,作为负载开关控制电源的通断,实现节能和延长电池寿命。 3. 电机控制:可用于小型电机驱动电路中,作为高速开关元件,实现对电机转速和方向的控制。 4. 工业自动化:在工业控制系统中作为功率开关,用于控制各种执行机构如继电器、电磁阀等。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED照明驱动等场景,满足汽车电子对可靠性和效率的高要求。 由于其高集成度和优良性能,FDS6609A在需要高效功率控制的小型化电子产品中具有广泛应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | FDS6609A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 930pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 32 毫欧 @ 7A,10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.3A (Ta) |