Datasheet下载- 型号： IRFR13N20DTRLP
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR13N20DTRLP由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR13N20DTRLP价格参考。International RectifierIRFR13N20DTRLP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR13N20DTRLP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR13N20DTRLP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRFR13N20DTRLP的MOSFET，属于功率场效应晶体管（FET），其应用场景主要包括： 1. 电源管理：该器件适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC电源适配器，用于高效能、高频的功率转换。 2. 电机控制：在电动工具、家用电器和工业电机驱动中，该MOSFET可用于控制电机的启停与转速，具有良好的导通和开关性能。 3. 负载开关：适用于电池供电设备中的负载切换，如便携式电子产品、储能系统等，具有低导通电阻，有助于降低功耗。 4. 照明系统：包括LED照明驱动器和高亮度照明控制，适用于需要高效能和小型化设计的照明应用。 5. 汽车电子：由于其良好的稳定性和可靠性，适用于车载电源系统、车身控制模块及车载充电系统等场景。 该MOSFET采用表面贴装封装，适合自动化生产，广泛应用于中高功率、高效率、空间受限的设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 13A DPAKMOSFET MOSFT 200V 14A 235mOhm 25nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR13N20DTRLPHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR13N20DTRLP |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 25 nC |
| Qg-栅极电荷 | 25 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 165 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 165 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 830pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 235 毫欧 @ 8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr13n20d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr13n20d.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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