Datasheet下载- 型号： IRF7834PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7834PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7834PBF价格参考。International RectifierIRF7834PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7834PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7834PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRF7834PBF的MOSFET，属于P沟道增强型MOSFET，常用于负载开关、电源管理、DC-DC转换器、电池供电设备等场景。 该器件主要应用于低压、中功率的电路中，具有低导通电阻、高效率、快速开关特性等优点，适合以下具体应用场景： 1. 笔记本电脑和平板电脑电源管理：用于控制电源通断，提升系统能效，降低待机功耗； 2. 电池管理系统（BMS）：在充放电控制电路中作为开关元件，保护电池安全； 3. DC-DC转换器与同步整流器：用于提高转换效率，尤其在低压输出场合表现优异； 4. 电机驱动与负载开关：控制小功率电机或LED等负载，具备良好的耐压和电流承受能力； 5. 工业自动化设备与嵌入式系统：作为高可靠性开关器件，用于控制各种外围模块的供电。 该MOSFET采用8引脚PDFN封装，支持表面贴装，适合高密度PCB设计，广泛应用于便携式电子产品和高效能电源系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOICMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 29nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 19 A |
| Id-连续漏极电流 | 19 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7834PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7834PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 29 nC |
| Qg-栅极电荷 | 29 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.35 V to 2.25 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.35 V to 2.25 V |
| 上升时间 | 14.3 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3710pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 19A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 正向跨导-最小值 | 85 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7834.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7834.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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