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产品简介:
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FQPF9N50CYDTU 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和功率转换应用。该器件具有500V的漏源电压和9A的连续漏极电流能力,适用于中高功率场合。 主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):用于AC/DC转换器、DC/DC转换器等,作为主开关器件,实现高效能的能量转换。 2. 电机驱动:适用于工业自动化设备、电动工具、风扇等电机控制电路中的功率开关。 3. 照明系统:如LED驱动电源,用于恒流控制或调光功能。 4. 逆变器与变频器:用于UPS(不间断电源)、太阳能逆变器等设备中进行直流到交流的转换。 5. 充电器与适配器:如笔记本电脑电源适配器、手机快充设备中的功率开关元件。 6. 家电控制:如电磁炉、电饭煲等家电中用于控制加热元件的通断。 该MOSFET采用TO-252封装,具备良好的散热性能,适合表面贴装,广泛应用于工业、消费类及汽车电子领域。其高耐压、高电流特性与良好的热稳定性,使其在多种功率应用中具有较高的可靠性和效率表现。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQPF9N50CYDTU |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1030pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 800 毫欧 @ 4.5A,10V |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 44W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Tc) |