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IRLR120NTRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR120NTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR120NTRPBF价格参考¥1.77-¥1.92。International RectifierIRLR120NTRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 48W(Tc) D-Pak。您可以下载IRLR120NTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR120NTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLR120NTRPBF 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款晶体管,属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别中的单通道器件。以下是该型号的主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - IRLR120NTRPBF 具有低导通电阻(Rds(on))和高开关速度,非常适合用于开关电源中的功率开关。其高效能表现有助于降低功耗并提高系统效率。 - 应用实例:适配器、充电器、DC-DC 转换器。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 可用于小型直流电机或无刷直流电机(BLDC)的驱动电路中,提供高效的开关性能和低损耗。 - 应用实例:家用电器(如风扇、泵)、无人机电机驱动、电动工具。 3. 负载开关 - 在电子设备中,IRLR120NTRPBF 可作为负载开关使用,用于动态控制电流流向,保护电路免受过载或短路的影响。 - 应用实例:智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备。 4. 电池管理 - 该型号适用于电池管理系统(BMS),用于充放电控制、保护电路以及均衡电路设计。 - 应用实例:锂电池组保护、电动车电池管理系统。 5. 逆变器与太阳能应用 - 在小型逆变器或太阳能微逆变器中,IRLR120NTRPBF 的高效开关特性可以提升能量转换效率。 - 应用实例:家庭太阳能发电系统、便携式太阳能设备。 6. 汽车电子 - 由于其高可靠性和耐用性,IRLR120NTRPBF 可广泛应用于汽车电子领域,例如车身控制模块(BCM)、LED 灯光控制、电动助力转向(EPS)等。 - 应用实例:车载娱乐系统、车窗升降控制器、座椅调节系统。 7. 信号放大与缓冲 - 在需要低失真和高效率的信号处理场景中,IRLR120NTRPBF 可用作信号放大或缓冲元件。 - 应用实例:音频放大器、传感器信号调理电路。 总结 IRLR120NTRPBF 凭借其低 Rds(on)、快速开关速度和出色的热稳定性,在消费电子、工业自动化、汽车电子及可再生能源等领域具有广泛的应用前景。具体选择时需根据实际电路需求评估其电气参数是否满足要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 10A DPAKMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR120NTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR120NTRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 39 W |
| Pd-功率耗散 | 39 W |
| Qg-GateCharge | 13.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 265 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 265 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 440pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 185 毫欧 @ 6A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | IRLR120NPBFTR |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 功率-最大值 | 48W |
| 功率耗散 | 39 W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 265 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 13.3 nC |
| 标准包装 | 2,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 11 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irlr120n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irlr120n.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 16 V |