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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTH140P10T由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTH140P10T价格参考。IXYSIXTH140P10T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTH140P10T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTH140P10T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTH140P10T是一款P沟道MOSFET晶体管,主要用于功率开关和电源管理相关应用。该器件具有高耐压(100V)、大电流承载能力(140A)和低导通电阻的特点,适合需要高效能功率控制的场合。 典型应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器中,用于高效能开关操作。 2. 电机驱动:适用于工业自动化、机器人、电动工具等电机控制电路。 3. 负载开关:用于控制高功率负载的通断,如加热元件、LED照明系统等。 4. 电池管理系统:在UPS、储能系统或电动车中作为充放电控制开关。 5. 逆变器与变频器:用于工业控制中的逆变电路,实现电能形态转换。 6. 工业自动化设备:作为高可靠性开关元件,广泛应用于PLC、伺服驱动器等设备中。 该MOSFET采用TO-247封装,便于散热和安装,适用于高功率密度和高可靠性要求的设计。使用时需注意散热设计和栅极驱动电压匹配,以确保稳定运行。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 100V 140A TO-247MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 140 A |
Id-连续漏极电流 | - 140 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTH140P10TTrenchP™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXTH140P10T |
Pd-PowerDissipation | 568 W |
Pd-功率耗散 | 568 W |
Qg-GateCharge | 400 nC |
Qg-栅极电荷 | 400 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 10 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 15 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 2 V to - 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 2 V to - 4 V |
上升时间 | 26 ns |
下降时间 | 26 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 31400pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 400nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12 毫欧 @ 70A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247 (IXTH) |
典型关闭延迟时间 | 86 ns |
功率-最大值 | 568W |
包装 | 管件 |
商标 | IXYS |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
正向跨导-最小值 | 115 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 140A (Tc) |
系列 | IXTH140P10 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |