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Datasheet下载- 型号： PHB47NQ10T,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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PHB47NQ10T,118产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHB47NQ10T,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHB47NQ10T,118价格参考。NXP SemiconductorsPHB47NQ10T,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 166W（Tc） D2PAK。您可以下载PHB47NQ10T,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHB47NQ10T,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PHB47NQ10T,118 是 NXP USA Inc.（恩智浦）推出的 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 TO-263（D²PAK）封装，额定参数为：VDS = 100 V，ID（连续）= 47 A，RDS(on) ≈ 22 mΩ（VGS = 10 V），具备低导通损耗和良好热性能。 其典型应用场景包括： ✅ 中功率开关电源：如服务器/通信设备中的同步整流、DC-DC 转换器（BUCK、BOOST）主开关或续流管； ✅ 电机驱动：适用于 24–48 V 工业直流电机、步进电机驱动模块及电动工具控制板中的H桥上/下臂开关； ✅ 电池管理系统（BMS）：用于锂电池组的充放电保护电路、主回路断路开关（配合保护IC实现过流/短路保护）； ✅ 照明电子：LED 驱动电源中的 PWM 调光开关或恒流控制开关； ✅ 汽车电子辅助系统：符合 AEC-Q101 基础可靠性要求（注：该型号非车规级，但部分工业客户用于非安全相关车载设备，如座椅调节、车窗升降等12 V/24 V负载控制）。 优势在于逻辑电平驱动（VGS(th) 典型值 2.0–3.5 V），可直接由 MCU（如 3.3 V/5 V GPIO）驱动，简化外围电路；TO-263 封装利于散热与自动化贴装。需注意实际应用中应合理设计栅极驱动、PCB铜箔散热及SOA（安全工作区）余量，避免雪崩或热失效。 （字数：398）
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PHB47NQ10T,118 |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 66nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 28 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-5944-2 |
| 功率-最大值 | 166W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 47A （Tc） |
