Datasheet下载- 型号： FQP3N80
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP3N80由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP3N80价格参考。Fairchild SemiconductorFQP3N80封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQP3N80参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP3N80 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP3N80是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型高压MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有800V的漏源击穿电压和3A的连续漏极电流能力，适用于高电压、中等电流的开关应用。 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC和DC-DC转换器中，如电源适配器、LED驱动电源和工业电源模块，因其高耐压特性可有效应对反向电动势和电压波动。 2. 电机控制：适用于小型电机或直流电机的驱动电路，如家用电器、电动工具中的开关控制。 3. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等设备中作为功率开关元件，实现直流到交流的转换。 4. 照明控制：用于高压LED照明系统的调光与开关控制，支持高效节能运行。 5. 继电器与电磁阀驱动：替代机械开关，实现无触点控制，提高系统可靠性。 FQP3N80具备低导通电阻（RDS(on)）和优良的热稳定性，有助于降低功耗和提升效率。其TO-220封装便于散热安装，适合工业环境下的长时间稳定运行。由于其高电压隔离能力和耐用性，该器件在工业控制、消费电子和绿色能源领域均有广泛应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 3A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQP3N80 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 690pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 107W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Tc） |
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