| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN4310GTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN4310GTA价格参考。Diodes Inc.ZVN4310GTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZVN4310GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZVN4310GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZVN4310GTA是Diodes Incorporated公司生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于中低功率的开关应用。该器件具有较低的导通电阻和良好的热稳定性,适用于多种电子设备和系统中。 其典型应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、电源开关和负载开关中,实现高效的电能控制。 2. 电机控制:在小型电机驱动电路中作为开关元件,控制电机的启停和方向。 3. 照明系统:用于LED驱动电路,提供稳定的电流控制和调光功能。 4. 电池供电设备:在便携式电子产品中用于电池充放电管理和电源切换。 5. 工业自动化:用于PLC、传感器和执行器的接口电路中,实现信号和功率的控制。 该MOSFET因其小型封装和优良性能,广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223MOSFET N-Chnl 100V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.67 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.67 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVN4310GTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVN4310GTA |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 750 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 750 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 540 毫欧 @ 3.3A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZVN4310G |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.67A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |