Datasheet下载- 型号： STB21NM60N
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB21NM60N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB21NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTB21NM60N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STB21NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB21NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB21NM60N是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压（600V）及大电流承载能力，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、照明镇流器以及工业自动化设备等场景。 在开关电源中，STB21NM60N用于高效地实现电能转换，提升电源效率并降低发热；在电机控制应用中，其快速开关特性有助于实现精确的速度和扭矩调节；在照明系统中，可用于电子镇流器以提高能效和稳定性。此外，它也适合用于逆变器和UPS（不间断电源）系统中，提供可靠的功率开关性能。 该MOSFET采用TO-220封装，便于散热和安装，适合在工业级温度范围内稳定工作，是多种中高功率应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STB21NM60N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1900pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 66nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 220 毫欧 @ 8.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-5002-1 |
| 功率-最大值 | 140W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17A （Tc） |
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