Datasheet下载- 型号： FDS2070N3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS2070N3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS2070N3价格参考。Fairchild SemiconductorFDS2070N3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS2070N3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS2070N3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS2070N3是ON Semiconductor（安森美）生产的一款N沟道MOSFET，属于单MOSFET晶体管。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优良的热性能，适用于高效率、小尺寸的电源管理应用。 其典型应用场景包括：便携式电子设备中的电源开关与负载管理，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池电源控制；DC-DC转换器，尤其在同步整流电路中用于提高转换效率；电机驱动电路，适用于小型直流电机或步进电机的控制；以及各类电源管理系统中的开关调节功能，例如LED驱动、热插拔控制器和电源多路复用。 此外，FDS2070N3采用紧凑型封装（如PowerTSSOP或类似封装），适合空间受限的设计，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。其低栅极电荷和低输入电容特性也使其在高频开关应用中表现出色，有助于降低开关损耗，提升系统整体能效。 综上所述，FDS2070N3凭借其高性能参数和紧凑设计，主要应用于对效率、体积和可靠性要求较高的低压、大电流开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDS2070N3 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1884pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 78 毫欧 @ 4.1A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 其它名称 | FDS2070N3DKR |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.1A （Ta） |
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