Datasheet下载- 型号： MMBZ33VAL-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ33VAL-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ33VAL-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ33VAL-7-F封装/规格：TVS - 二极管， 。您可以下载MMBZ33VAL-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ33VAL-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ33VAL-7-F 是德州仪器（Texas Instruments）出品的一款双向TVS（瞬态电压抑制）二极管，主要用于电路的静电放电（ESD）防护和瞬态过压保护。其击穿电压典型值为33 V（VRWM=28.5 V，VBR=31.35–34.65 V），峰值脉冲功率达200 W（10/1000 μs波形），响应时间小于1 ns，具备优异的ESD耐受能力（IEC 61000-4-2 Level 4：±15 kV接触放电/±20 kV空气放电）。 典型应用场景包括： • 汽车电子中CAN总线、LIN总线或传感器接口的浪涌与ESD防护； • 工业控制设备中RS-232/RS-485通信端口的瞬态保护； • 便携式设备（如仪表、手持终端）的I/O接口（USB、按键、显示屏排线）防静电设计； • 电源输入端（如3.3 V/5 V/12 V系统）的次级过压钳位，配合前端保险丝或限流电阻使用； • 低压直流供电系统（如电池供电模块）中对MCU、ADC、传感器等敏感器件的IO引脚提供“最后一道防线”保护。 该器件采用SOT-23封装，体积小、贴装便捷，适用于空间受限的高密度PCB设计。需注意：TVS需靠近被保护引脚布局，并确保接地路径低感抗，以发挥最佳防护效果。不适用于持续过压或大能量雷击场景（需配合GDT或MOV级联使用）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 26VWM 46VC SOT23-3TVS二极管阵列 33V 225mW |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,Diodes Incorporated MMBZ33VAL-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ33VAL-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | TVS - Zener Dual |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | MMBZ33VAL-FDITR |
| 击穿电压 | 33 V |
| 功率-峰值脉冲 | 40W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | 2 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 尺寸 | 2.9 mm W x 1.3 mm L x 1 mm H |
| 峰值浪涌电流 | 0.87 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 40 W |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工作电压 | 26 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-击穿（最小值） | 31.35V |
| 电压-反向关态（典型值） | 26V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 46V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 870mA |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | MMBZ33 |
| 通道 | 2 Channels |
| 钳位电压 | 46 V |
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