Datasheet下载- 型号： IRFL1006PBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFL1006PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFL1006PBF价格参考。International RectifierIRFL1006PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFL1006PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFL1006PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRFL1006PBF 是一款N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性。该器件广泛应用于需要高效能功率控制的场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器中，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块，提升能效并减少能量损耗。 2. 电机驱动：在工业控制、电动工具、家用电器（如风扇、洗衣机）的电机驱动电路中，作为开关元件实现精确控制。 3. 照明系统：用于LED驱动电源，支持恒流输出与高效调光功能，适用于商业及户外LED照明。 4. 汽车电子：在车载电源系统、车身控制模块（如车窗升降、座椅调节）中提供可靠开关性能，符合汽车级可靠性要求。 5. 消费类电子产品：如充电器、适配器、电池管理系统中，用于过流保护和负载开关功能。 IRFL1006PBF采用TO-220AB封装，便于散热安装，适合中等功率应用。其100V耐压和7.5A连续漏极电流能力，使其在多种电压和负载条件下均表现稳定。此外，该器件符合RoHS标准，无铅设计，适用于环保型产品制造。 综上，IRFL1006PBF凭借高性能和高可靠性，广泛服务于工业、汽车、消费电子及照明等多个领域，是中小功率开关应用中的优选MOSFET之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223MOSFET MOSFT 60V 2.3A 220mOhm 5.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.3 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFL1006PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFL1006PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| Qg-GateCharge | 5.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 5.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 220 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 220 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 160pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 220 毫欧 @ 1.6A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | *IRFL1006PBF |
| 功率-最大值 | 1W |
| 功率耗散 | 2.1 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 220 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 2560 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 5.3 nC |
| 标准包装 | 80 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 2.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.6A （Ta） |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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