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详细数据请看参考数据手册
- 型号： STW60N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW60N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW60N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTW60N65M5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STW60N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW60N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STW60N65M5是一款N沟道增强型MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：STW60N65M5具有650V的击穿电压和低导通电阻（Rds(on)），适合用于开关电源中的高频开关应用。它能够高效地控制功率转换过程，适用于AC-DC或DC-DC转换器。 2. 电机驱动：该MOSFET可用于工业和消费类电机驱动电路中，提供高效的开关性能，支持电机的正转、反转和速度调节。其高耐压特性使其能够承受电机启动时的浪涌电流。 3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，STW60N65M5可以作为功率开关，将直流电转换为交流电。其快速开关特性和低损耗有助于提高逆变器的整体效率。 4. 负载开关和保护电路：该器件适用于过流保护、短路保护等电路中，能够快速响应并切断异常电流路径，保护系统免受损害。 5. 电池管理系统（BMS）：在电动汽车、储能系统或便携式设备的电池管理中，STW60N65M5可用于电池充放电控制和保护，确保电池安全运行。 6. 电磁兼容性（EMC）滤波器：由于其良好的开关特性和抗干扰能力，STW60N65M5可应用于EMC滤波器中，减少电磁干扰对系统的影响。 7. 家电和照明：在家电（如洗衣机、空调）和LED照明应用中，该MOSFET可以用作功率开关，实现节能和高效控制。 综上所述，STW60N65M5凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于各种功率转换和控制场景，特别适合需要高可靠性和高效能的工业、消费电子及能源管理领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 46A TO-247MOSFET N-Ch 650V 0.049 Ohm 46A Mdmesh V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 46 A |
| Id-连续漏极电流 | 46 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW60N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW60N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 255 W |
| Pd-功率耗散 | 255 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 59 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 59 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6810pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 139nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 59 毫欧 @ 23A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | 497-11368-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF251337?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 255W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 46A （Tc） |
| 系列 | STW60N65M5 |
| 配置 | Single |
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