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产品简介:
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STMicroelectronics(意法半导体)的STW30NM60D是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的FET类别。该器件具有较高的耐压能力和较大的工作电流,适用于多种功率电子设备。 主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等,用于高效能电能转换。 2. 电机驱动:适用于工业自动化、电动车及家电中的电机控制电路。 3. 逆变器系统:用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)等设备中进行直流到交流的电能转换。 4. 照明系统:如LED驱动电源中,作为开关元件使用。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、电池管理系统(BMS)及车载充电器等场景。 该MOSFET具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合高效率、高频工作的应用环境。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STW30NM60D |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | MDmesh™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2520pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 115nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 145 毫欧 @ 15A,10V |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
其它名称 | 497-4426-5 |
功率-最大值 | 312W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Tc) |