Datasheet下载- 型号： FQB19N20CTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB19N20CTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB19N20CTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB19N20CTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB19N20CTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB19N20CTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB19N20CTM 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。该型号具有 200V 的耐压能力、19A 的连续漏极电流和低导通电阻（Rds(on)），使其适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) - 作为主开关或同步整流器使用，适用于 DC-DC 转换器、反激式转换器、正激式转换器等。 - 其高耐压和低导通电阻特性能够提高效率并减少功率损耗。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，控制电机的启动、停止和速度调节。 - 在 H 桥电路中用作开关元件，实现电机的正反转控制。 3. 负载切换 - 在汽车电子、工业设备或消费电子产品中，用于动态切换负载，确保系统稳定运行。 - 例如，电池管理系统 (BMS) 中的负载保护和开关功能。 4. 逆变器 - 用于太阳能逆变器或 UPS（不间断电源）系统中的功率级电路，将直流电转换为交流电。 - 其 200V 的额定电压使其适合高压应用环境。 5. LED 驱动 - 在高亮度 LED 照明系统中，用作恒流源的开关元件，提供稳定的电流输出。 - 适用于街道照明、汽车前大灯或其他高功率 LED 应用。 6. 保护电路 - 用于过流保护、短路保护或热关断保护电路中，确保系统的安全性和可靠性。 - 其内置的雪崩能量处理能力使其能够在异常情况下承受瞬态电压冲击。 7. 音频放大器 - 在 D 类音频放大器中用作输出级开关，提供高效能的声音放大。 - 低 Rds(on) 和快速开关速度有助于降低失真和功耗。 总结 FQB19N20CTM 凭借其出色的电气特性和可靠性，广泛应用于工业、汽车、消费电子和通信领域。其具体应用场景取决于设计需求和系统要求，但总体上它是一款高性能、高性价比的 MOSFET 解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 19A D2PAKMOSFET 200V N-Channel Adv Q-FET C-Series |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 19 A |
| Id-连续漏极电流 | 19 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB19N20CTMQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQB19N20CTM |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.13 W |
| Pd-功率耗散 | 3.13 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 170 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 170 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 150 ns |
| 下降时间 | 115 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1080pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 170 毫欧 @ 9.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263-2 |
| 其它名称 | FQB19N20CTMDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 135 ns |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 10.8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19A （Tc） |
| 系列 | FQB19N20 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQB19N20CTM_NL |
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