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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD85N02R-1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD85N02R-1G价格参考。ON SemiconductorNTD85N02R-1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD85N02R-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD85N02R-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD85N02R-1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各种电源管理和开关电路中。该器件具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点,适合需要高效能和高可靠性的场景。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,用于提高能量转换效率。 2. 负载开关:用于控制电源系统中不同模块的供电,实现快速开关和低损耗。 3. 马达驱动:在电动工具、风扇、泵等小型马达控制电路中作为开关元件。 4. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制,保护电池组免受过流或短路损坏。 5. 照明系统:如LED驱动电路中,用于调光或开关控制。 6. 消费电子产品:如笔记本电脑、平板电脑、智能家电等设备的电源管理模块。 该MOSFET采用表面贴装封装,便于自动化生产和良好的散热设计,适用于中高功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 24V 12A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD85N02R-1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2050pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17.7nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.2 毫欧 @ 20A,10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 24V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Ta), 85A (Tc) |