ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > STB14NM65N
Datasheet下载- 型号： STB14NM65N
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
STB14NM65N产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB14NM65N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB14NM65N价格参考。STMicroelectronicsSTB14NM65N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 650V 12A（Tc） 125W（Tc） D2PAK。您可以下载STB14NM65N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB14NM65N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STB14NM65N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-7000-1 |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
推荐商品
STB14NM65N 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商