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Datasheet下载- 型号： STB14NM65N
- 制造商： STMicroelectronics
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STB14NM65N产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB14NM65N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB14NM65N价格参考。STMicroelectronicsSTB14NM65N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 650V 12A（Tc） 125W（Tc） D2PAK。您可以下载STB14NM65N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB14NM65N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STB14NM65N是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压（650V）和良好的热稳定性，适用于多种功率转换和控制场景。 主要应用场景包括： 1. 电源适配器与充电器：用于笔记本电脑、手机等电子设备的AC-DC电源转换电路中，提高转换效率，降低发热。 2. 工业电源与UPS系统：在不间断电源（UPS）、工业控制电源中作为开关元件，实现高效能的电能转换与稳定输出。 3. 电机驱动与控制：适用于中小型电机驱动电路，如电动工具、风机、泵类设备中的功率控制模块。 4. 照明系统：用于LED照明驱动电源中，特别是在高亮度LED路灯或商业照明中，实现高效恒流驱动。 5. 新能源应用：如太阳能逆变器、储能系统中的DC-DC转换模块，发挥其高耐压与低损耗特性，提高整体系统效率。 6. 汽车电子：在车载充电器、电池管理系统（BMS）或其他车载电源转换系统中，提供稳定可靠的功率控制能力。 STB14NM65N凭借其优异的性能，在各种高效率、高频率的开关电源设计中具有广泛应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | STB14NM65N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-7000-1 |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
