Datasheet下载- 型号： STP130N10F3
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP130N10F3由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP130N10F3价格参考。STMicroelectronicsSTP130N10F3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STP130N10F3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP130N10F3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STP130N10F3是一款N沟道增强型MOSFET，具有高电流、低导通电阻和良好热性能的特点。该器件广泛应用于需要高效功率转换和控制的场合。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器和开关电源（SMPS）中，提高转换效率并减少发热。 2. 电机驱动：适用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的驱动电路，支持高电流负载的快速开关控制。 3. 工业自动化：在PLC、变频器和伺服驱动器中作为功率开关元件，实现对设备的高效控制。 4. 汽车电子：用于车载充电系统、电池管理系统（BMS）及车身控制模块，满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 5. 消费类电子产品：如高功率LED照明、电源适配器和充电器中，实现紧凑高效的设计。 该MOSFET具备良好的耐用性和热稳定性，适合在高负载和高温环境下运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220MOSFET N-Channel 100V 8mOhm 120A STripFET MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP130N10F3STripFET™ III |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP130N10F3 |
| Pd-PowerDissipation | 250 W |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.6 mOhms |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3305pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 57nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.6 毫欧 @ 60A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-12984-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF251163?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 9.6 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 120 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 系列 | STP130N10F3 |
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