Datasheet下载- 型号： NTHS2101PT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTHS2101PT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHS2101PT1价格参考。ON SemiconductorNTHS2101PT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTHS2101PT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTHS2101PT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
安森美半导体（ON Semiconductor）的NTHS2101PT1是一款单N沟道增强型MOSFET，常用于需要高效开关性能的电路设计中。该器件主要应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备等领域。 具体应用场景包括：笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备中的电源管理系统；工业自动化控制系统中的电机驱动或继电器替代方案；LED照明调光电路中的高速开关元件；以及各类消费类电子产品中的高效能转换器和稳压器。 NTHS2101PT1具备低导通电阻（Rds(on)）、高速开关特性及良好的热稳定性，适合用于需要节能和高可靠性的设计中。此外，其小型封装也适合空间受限的应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTHS2101PT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 6.4V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 5.4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 其它名称 | NTHS2101PT1OS |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.4A （Tj） |
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