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Datasheet下载- 型号： BLF248,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF248,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF248,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF248,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet 2 N 沟道（双）共源 28V 225MHz 11.5dB 300W CDFM4。您可以下载BLF248,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF248,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的BLF248,112是一款高性能射频功率MOSFET晶体管，广泛应用于高频率、高功率的无线通信系统中。该器件特别适用于900MHz至1GHz频段，常用于工业、科学和医疗（ISM）频段射频能量应用，如射频加热、等离子体生成和工业感应加热设备。此外，BLF248,112也广泛用于广播发射机中的射频功率放大级，支持FM广播和数字音频广播（DAB）系统，提供高效、稳定的信号放大能力。在电信基础设施领域，该器件可用于基站功率放大器，支持陆地移动无线电（LMR）和公共安全通信系统，确保在严苛工作条件下仍具备高可靠性和耐用性。BLF248,112具备优良的热稳定性和高增益特性，适合连续波（CW）和脉冲工作模式，能够在高驻波比（VSWR）环境下耐受失配负载，提升系统鲁棒性。其坚固的封装设计增强了散热性能，适用于紧凑型高功率模块集成。总体而言，BLF248,112是一款面向工业射频能量、广播传输和专业通信系统的理想功率器件，满足对效率、可靠性和输出功率的严苛要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF DMOS SOT262A1 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF248,112 |
| PCN封装 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | CDFM4 |
| 其它名称 | 568-2389 |
| 功率-输出 | 300W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 11.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-262A1 |
| 晶体管类型 | 2 N-通道（双） |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | 225MHz |
| 额定电流 | 25A |
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