Datasheet下载- 型号： STU4N62K3
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STU4N62K3由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STU4N62K3价格参考。STMicroelectronicsSTU4N62K3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STU4N62K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STU4N62K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STU4N62K3是一款N沟道增强型高压MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管类别。该器件具有620V的高漏源击穿电压和4A的连续漏极电流能力，采用先进的超结（Super Junction）技术，具备低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和良好的热稳定性。 STU4N62K3主要适用于需要高电压、高效率功率转换的应用场景。典型应用包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC电源适配器、充电器、PC电源和工业电源模块中，作为主开关管使用，支持准谐振或连续导通模式工作，提升能效。 2. LED照明驱动电源：适用于高亮度LED路灯、工业照明及商业照明的恒流驱动电源，满足高功率因数和低待机功耗的设计要求。 3. PFC（功率因数校正）电路：在升压式PFC拓扑中作为开关元件，帮助实现接近1的功率因数，符合能源效率标准（如Energy Star、IEC 61000-3-2）。 4. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源、太阳能微逆变器等设备中的DC-AC转换环节，提供高效、可靠的功率控制。 5. 电机驱动与工业控制：适用于中小功率电机控制电路中的高压侧开关，支持高频开关操作。 该器件采用TO-220FP或类似封装，具备良好的散热性能和可靠性，适合紧凑型高密度电源设计。其高耐压、低损耗特性使其在节能、环保型电力电子设备中具有广泛应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAKMOSFET N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.8 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STU4N62K3SuperMESH3™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STU4N62K3 |
| Pd-PowerDissipation | 70 W |
| Pd-功率耗散 | 70 W |
| Qg-GateCharge | 22 nC |
| Qg-栅极电荷 | 22 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 620 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 620 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 19 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 欧姆 @ 1.9A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | 497-12364 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF248752?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 29 ns |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 620V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.8A （Tc） |
| 系列 | STU4N62K3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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