Datasheet下载- 型号： SIR870DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR870DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR870DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR870DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIR870DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR870DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIR870DP-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理： 该型号适用于各种 DC-DC 转换器（如降压、升压或反相转换器），能够提供高效的功率传输，降低能量损耗。其低导通电阻 (Rds(on)) 特性使其在高电流应用中表现优异。 2. 电机驱动： 在小型电机控制中，SIR870DP-T1-GE3 可作为开关器件，用于调节电机速度和方向。其快速开关能力和耐受高浪涌电流的能力非常适合此类应用。 3. 电池管理系统 (BMS)： 用于保护电池组免受过流、短路或过充等异常情况的影响。MOSFET 在这些系统中充当电子保险丝或负载开关。 4. 负载开关： 在消费电子设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中，该器件可用作负载开关，以实现快速开启/关闭功能并减少待机功耗。 5. 逆变器与太阳能系统： 在微型逆变器或太阳能充电控制器中，这款 MOSFET 可用于提高能量转换效率，并支持更高的工作频率以减小滤波器尺寸。 6. LED 驱动器： 用于大功率 LED 照明电路中，作为开关元件调节电流，确保 LED 的亮度稳定且节能。 7. 汽车电子： 在车载电子设备中，例如信息娱乐系统、电动助力转向 (EPS) 和车身控制模块 (BCM)，此 MOSFET 提供了可靠的性能和耐用性。 总之，SIR870DP-T1-GE3 凭借其出色的电气特性和紧凑封装，成为众多便携式设备、工业控制及汽车应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8MOSFET N-CHANNEL 100-V(D-S) |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR870DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIR870DP-T1-GE3SIR870DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 104 W |
| Pd-功率耗散 | 104 W |
| Qg-GateCharge | 55.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 55.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2840pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 84nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIR870DP-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 80 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
| 系列 | SIRxxxDP |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIR870DP-GE3 |
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