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STP25NM60ND产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP25NM60ND由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP25NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTP25NM60ND封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 21A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB。您可以下载STP25NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP25NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP25NM60ND 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):STP25NM60ND 的高电压耐受能力(600V)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。 - DC-DC 转换器:可用于降压或升压转换器中,作为主开关或同步整流器件,提供高效能的功率转换。 - 负载开关:在需要快速切换负载的应用中,这款 MOSFET 可以实现低导通电阻和高效能。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:适用于驱动步进电机、直流无刷电机(BLDC)或有刷直流电机,特别是在需要高电压驱动的场景中。 - H 桥电路:可作为 H 桥电路的一部分,用于双向电机控制。 3. 工业自动化 - 固态继电器 (SSR):利用其高电压和低导通电阻特性,替代传统机械继电器,实现更可靠和更长寿命的开关功能。 - 工业驱动器:在工业设备中,用于驱动电磁阀、继电器或其他高电压负载。 4. 汽车电子 - 车载电子系统:如电动座椅调节、车窗升降、雨刷控制等,需要高可靠性 MOSFET 的场合。 - LED 驱动:在汽车照明系统中,用于驱动高亮度 LED 灯具。 5. 家电与消费电子 - 家用电器:如洗衣机、空调、冰箱等设备中的压缩机或风扇控制。 - 充电器和适配器:用于便携式设备的充电器中,提供高效的功率转换。 6. 新能源领域 - 太阳能逆变器:在小型光伏系统中,用作功率转换的核心元件。 - 电池管理系统 (BMS):用于保护电池组免受过充、过放或短路的影响。 特性优势: - 高耐压(600V):适合高压环境下的应用。 - 低导通电阻(典型值为 0.18Ω):减少功率损耗,提高效率。 - 快速开关速度:支持高频操作,降低开关损耗。 - 高电流能力(25A):能够处理较大负载电流。 综上所述,STP25NM60ND 广泛应用于需要高效能、高可靠性和高压操作的场景中,特别适合电源管理、电机驱动和工业自动化等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 600V 21A TO-220MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 21 A |
Id-连续漏极电流 | 21 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP25NM60NDFDmesh™ II |
数据手册 | |
产品型号 | STP25NM60ND |
Pd-PowerDissipation | 160 W |
Pd-功率耗散 | 160 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 160 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
上升时间 | 30 ns |
下降时间 | 40 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 160 毫欧 @ 10.5A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | 497-8446-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF202749?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 50 ns |
功率-最大值 | 160W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 21A (Tc) |
系列 | STP25NM60ND |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |