Datasheet下载- 型号： IXFB210N30P3
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFB210N30P3由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFB210N30P3价格参考。IXYSIXFB210N30P3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFB210N30P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFB210N30P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFB210N30P3是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率场效应晶体管，具有高电流、高电压和低导通电阻的特性。该器件常用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。 应用场景主要包括： 1. 电源转换设备：如DC-DC转换器、AC-DC电源供应器，适用于工业电源及服务器电源系统。 2. 电机驱动：可用于直流电机或无刷电机的控制与驱动电路中，适合自动化设备和机器人系统。 3. 逆变器系统：在太阳能逆变器、UPS不间断电源等应用中作为核心开关元件。 4. 电池管理系统：用于电动车、储能系统中的充放电控制电路。 5. 工业控制系统：如PLC、变频器、伺服驱动器等工业自动化装置中实现高速开关控制。 其高耐压（300V）、大电流（210A）能力以及优良的热稳定性使其特别适用于高功率密度和高效率要求的设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 210A TO-263AAMOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 210 A |
| Id-连续漏极电流 | 210 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFB210N30P3Polar3™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFB210N30P3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.89 kW |
| Pd-功率耗散 | 1.89 kW |
| Qg-GateCharge | 268 nC |
| Qg-栅极电荷 | 268 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 300 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 16200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 268nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14.5 毫欧 @ 105A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS264™ |
| 典型关闭延迟时间 | 94 ns |
| 功率-最大值 | 1890W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | Polar3, HiPerFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | ISOPLUS264™ |
| 封装/箱体 | PLUS 264-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 60 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 210A （Tc） |
| 系列 | IXFB210N30 |
| 通道模式 | Enhancement |
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