Datasheet下载- 型号： IXFN160N30T
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN160N30T由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN160N30T价格参考。IXYSIXFN160N30T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFN160N30T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFN160N30T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS公司生产的IXFN160N30T是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要参数包括耐压30V、连续漏极电流可达160A（在特定条件下），并且具有低导通电阻（Rds(on)）。这种器件适用于多种电力电子应用场景，具体如下： 1. 电机驱动 - IXFN160N30T的高电流承载能力和低导通电阻使其非常适合用于工业和消费类电机驱动应用。例如，它可以用于控制直流无刷电机（BLDC）或步进电机的运行，尤其是在需要高效功率转换和低损耗的情况下。 2. 开关电源（SMPS） - 在开关模式电源中，这款MOSFET可以用作主开关器件，用于降压、升压或反激式转换器。其快速开关特性和低导通电阻有助于提高效率并减少热量产生。 3. 电池管理系统（BMS） - 在电动汽车（EV）、电动自行车或其他便携式设备的电池管理系统中，IXFN160N30T可以作为负载开关或保护开关，用于控制电池充放电过程中的电流流动，同时提供过流保护功能。 4. 逆变器 - 该MOSFET适用于小型逆变器的设计，例如太阳能微型逆变器或家用不间断电源（UPS）系统。它能够将直流电高效地转换为交流电，满足各种负载需求。 5. 负载切换与保护 - 在汽车电子、工业自动化和其他领域中，IXFN160N30T可用作负载切换开关，用于动态控制电路中的电流路径。此外，它还能实现短路保护和过热保护等功能。 6. 音频功放 - 高效的D类音频放大器可能使用此类MOSFET作为输出级开关元件，以实现高保真度的声音输出，同时降低能耗。 综上所述，IXFN160N30T凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于需要大电流、低损耗以及快速开关能力的各种电力电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 130A SOT227MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A |
| 产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 130 A |
| Id-连续漏极电流 | 130 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFN160N30TGigaMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFN160N30T |
| Pd-PowerDissipation | 900 W |
| Pd-功率耗散 | 900 W |
| Qg-GateCharge | 335 nC |
| Qg-栅极电荷 | 335 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 19 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 19 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 300 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 38 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 28000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 335nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19 毫欧 @ 60A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 典型关闭延迟时间 | 105 ns |
| 功率-最大值 | 900W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 38 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | GigaMOS |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 封装/箱体 | SOT-227B-4 |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 10 |
| 正向跨导-最小值 | 100 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 130A |
| 系列 | IXFN160N30 |
| 通道模式 | Enhancement |
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