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SI1403CDL-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1403CDL-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1403CDL-T1-GE3价格参考。VishaySI1403CDL-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 2.1A(Tc) 600mW(Ta),900mW(Tc) SC-70-6(SOT-363)。您可以下载SI1403CDL-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1403CDL-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1403CDL-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电池管理系统,因其具备低导通电阻(Rds(on))和高效率特性,有助于提高能效并减少发热。 2. 负载开关:用于控制电源分配,如在笔记本电脑、平板电脑和智能手机中作为电源开关,实现对不同功能模块的供电控制。 3. 马达驱动:可用于小型电机控制电路中,作为高速开关元件,提供快速响应和良好的热稳定性。 4. 逆变器与转换器:在光伏逆变器或UPS系统中用于电能转换,因其具备良好的耐压和电流能力。 5. 工业自动化:在PLC、传感器模块和工业控制设备中用作开关元件,实现对执行机构的精确控制。 该MOSFET采用小型DFN封装,适合高密度PCB布局,广泛应用于便携式设备和高效能电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | SI1403CDL-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 281pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 140 毫欧 @ 1.6A, 4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 (SOT-363) |
| 其它名称 | SI1403BDL-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.1A (Tc) |