(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10) IRFR220NPbF SMPS MOSFET IRFU220NPbF HEXFET(cid:1)(cid:1)Power MOSFET Applications V R max (mΩ) I DSS DS(on) D (cid:1) High frequency DC-DC converters 200V 600 5.0A (cid:1) Lead-Free Benefits (cid:1) Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses (cid:1) Fully Characterized Capacitance Including Effective C to Simplify Design, (See OSS App. Note AN1001) D-Pak I-Pak (cid:1) Fully Characterized Avalanche Voltage IRFR22ON IRFU220N and Current Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V 5.0 D C GS I @ T = 100°C Continuous Drain Current, V @ 10V 3.5 A D C GS I Pulsed Drain Current (cid:3) 20 DM P @T = 25°C Power Dissipation 43 W D C Linear Derating Factor 0.71 W/°C V Gate-to-Source Voltage ± 20 V GS dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt (cid:4) 7.5 V/ns T Operating Junction and -55 to + 175 J TSTG Storage Temperature Range °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Typical SMPS Topologies (cid:1)(cid:2)Telecom 48V input Forward Converters Notes(cid:4)(cid:1)(cid:2)through (cid:3) are on page 10 www.irf.com 1 12/10/04

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:3) Static @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 200 ––– ––– V VGS = 0V, ID = 250µA ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.23 ––– V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA (cid:5) RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– ––– 600 mΩ VGS = 10V, ID = 2.9A(cid:2)(cid:5) VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 ––– 4.0 V VDS = VGS, ID = 250µA IDSS Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 25 µA VDS = 200V, VGS = 0V ––– ––– 250 VDS = 160V, VGS = 0V, TJ = 150°C I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 nA VGS = 20V GSS Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 VGS = -20V Dynamic @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions gfs Forward Transconductance 2.6 ––– ––– S VDS = 50V, ID = 2.9A Qg Total Gate Charge ––– 15 23 ID = 2.9A Qgs Gate-to-Source Charge ––– 2.4 3.6 nC VDS = 160V Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– 6.1 9.2 VGS = 10V, td(on) Turn-On Delay Time ––– 6.4 ––– VDD = 100V tr Rise Time ––– 11 ––– ns ID = 2.9A td(off) Turn-Off Delay Time ––– 20 ––– RG = 24Ω tf Fall Time ––– 12 ––– VGS = 10V(cid:2)(cid:5) Ciss Input Capacitance ––– 300 ––– VGS = 0V Coss Output Capacitance ––– 53 ––– VDS = 25V Crss Reverse Transfer Capacitance ––– 15 ––– pF ƒ = 1.0MHz Coss Output Capacitance ––– 300 ––– VGS = 0V, VDS = 1.0V, ƒ = 1.0MHz Coss Output Capacitance ––– 23 ––– VGS = 0V, VDS = 160V, ƒ = 1.0MHz Coss eff. Effective Output Capacitance ––– 46 ––– VGS = 0V, VDS = 0V to 160V (cid:6) Avalanche Characteristics Parameter Typ. Max. Units E Single Pulse Avalanche Energy(cid:7) ––– 46 mJ AS I Avalanche Current(cid:3) ––– 2.9 A AR E Repetitive Avalanche Energy(cid:3) ––– 4.3 mJ AR Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case ––– 3.5 RθJA Junction-to-Ambient (PCB mount)* ––– 50 °C/W RθJA Junction-to-Ambient ––– 110 Diode Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current ––– ––– 5.0 MOSFET symbol D (Body Diode) showing the (cid:1) ISM Pulsed Source Current ––– ––– 20 integral reverse G (Body Diode) (cid:3) p-n junction diode. S VSD Diode Forward Voltage ––– ––– 1.3 V TJ = 25°C, IS = 2.9A, VGS = 0V(cid:2)(cid:5) trr Reverse Recovery Time ––– 90 140 ns TJ = 25°C, IF = 2.9A Qrr Reverse RecoveryCharge ––– 320 480 nC di/dt = 100A/µs(cid:1)(cid:5) ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:3) 100 100 VGS VGS TOP 15V TOP 15V 10V 10V A) 87..00VV A) 87..00VV nt ( 65..05VV nt ( 65..05VV e 10 5.0V e 5.0V Curr BOTTOM4.5V Curr 10 BOTTOM4.5V e e c c ur ur o 1 o S S o- o- n-t n-t ai ai 1 4.5V Dr 4.5V Dr I , D0.1 I , D 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH T J = 25°C T J = 175°C 0.01 0.1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VD S , Drain-to-Source Voltage (V) V D S , Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 100 3.5 ID=4.8A e c n nt (A) TJ = 25 ° C sista 3.0 e e Source Curr 10 TJ = 175 ° C Source On Rmalized) 22..05 ain-to- 1 ain-to-(Nor 1.5 Dr Dr 1.0 I , D V20 D µ Ss =P U50LVSE WIDTH R , DS(on) 0.5 VGS=10V 0.1 0.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180 VG S , Gate-to-Source Voltage (V) T J , Junction Temperature ( ° C) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:3) 20 10000 ID=2.9A VGS = 0V, f = 1 MHZ CCrissss == CCggds + Cgd, Cds SHORTED ge (V) 16 VVDDSS== 110600VV 1000 Coss = Cds + Cgd olta VDS= 40V F) V ep( Ciss ce 12 anapaccti 100 Coss e-to-Sour 8 C at C, 10 Crss V , GGS 4 FOR TEST CIRCUIT SEE FIGURE 1 3 0 1 0 5 10 15 20 25 1 10 100 1000 Q G , Total Gate Charge (nC) V , Drain-to-Source Voltage (V) DS Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 100 100 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY RDS(on) A) nt ( Curre 10 nt (A)nt (A) 10 10us ain TJ = 175 ° C urreurre Dr CC se ain ain 100us er DrDr I , RevSD 1 TJ = 25 ° C I , I , D 1 TC= 25 ° C 11m0mss TJ= 175 ° C V G S = 0 V Single Pulse 0.1 0.1 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1 10 100 1000 V S D ,Source-to-Drain Voltage (V) V D S , Drain-to-Source Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:3) (cid:3) 5.0 (cid:2) (cid:1) (cid:1)(cid:2) (cid:2) (cid:21)(cid:2) (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:5) 4.0 (cid:3) (cid:21) A) +-(cid:2)(cid:1)(cid:1) nt ( e 3.0 (cid:2) urr (cid:21)(cid:2) C (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:8)≤ 1 (cid:14)(cid:6) n (cid:1)(cid:4)(cid:12)(cid:15)(cid:8)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:12)(cid:19)(cid:20)(cid:8)≤ 0.1 % ai Dr 2.0 I , D Fig 10a. Switching Time Test Circuit 1.0 VDS 90% 0.0 25 50 75 100 125 150 175 T , Case Temperature ( ° C) C 10% VGS Fig 9. Maximum Drain Current Vs. td(on) tr td(off) tf Case Temperature Fig 10b. Switching Time Waveforms 10 ) Z thJC D = 0.50 ( 1 e 0.20 s n o 0.10 p s e 0.05 R al PDM m 0.1 0.02 t1 her 0.01 t2 T SINGLE PULSE (THERMAL RESPONSE) Notes: 1. Duty factor D = t 1 / t2 2. Peak TJ=PDMx ZthJC+ TC 0.01 0.000001 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:3) 80 J) ID m TOP 1.2A 15V y ( 2.1A g r BOTTOM 2.9A e n 60 E VDS L DRIVER he c n a RG D.U.T +- VDD Aval 40 IAS A e 20V tp 0.01Ω Puls Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit gle 20 n Si E , AS 0 25 50 75 100 125 150 175 V(BR)DSS Starting T , Junction Temperature ( ° C) J tp Fig 12c. Maximum Avalanche Energy Vs. Drain Current IAS Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms CurrentRegulator SameTypeasD.U.T. Q G 50KΩ 12V .2µF .3µF Q Q GS GD + D.U.T. -VDS VG VGS 3mA Charge IG ID CurrentSamplingResistors Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform Fig 13b. Gate Charge Test Circuit 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:8)(cid:12)(cid:2)(cid:13)(cid:14)(cid:5)(cid:9)(cid:12)(cid:15)(cid:9)(cid:16)(cid:5)(cid:17)(cid:2)(cid:18)(cid:16)(cid:5)(cid:19)(cid:7)(cid:13)(cid:11)(cid:20)(cid:7)(cid:16) + $(cid:16)(cid:13)(cid:17) (cid:16)(cid:24)(cid:8)(cid:14)(cid:28)(cid:27)(cid:12) (cid:24)(cid:8)$(cid:12)(cid:25)(cid:21)(cid:16)(cid:22)(cid:18)(cid:13)(cid:28)(cid:24)(cid:16)(cid:12)(cid:25)(cid:21) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4) • (cid:8)(cid:14)(cid:12)%(cid:8)&(cid:24)(cid:13)(cid:28)(cid:27)(cid:8)(cid:31)(cid:25)(cid:22) (cid:17)(cid:24)(cid:28)(cid:25)(cid:17)(cid:18) (cid:1) (cid:8)(cid:8) • ’(cid:13)(cid:12) (cid:25)(cid:22)(cid:8)((cid:20)(cid:28)(cid:25)(cid:18) (cid:8)(cid:8) • (cid:14)(cid:12)%(cid:8)(cid:14)(cid:18)(cid:28))(cid:28)(cid:15)(cid:18)(cid:8)(cid:31)(cid:25)(cid:22) (cid:17)(cid:24)(cid:28)(cid:25)(cid:17)(cid:18) (cid:8)(cid:8)(cid:8)(cid:8)(cid:8)(cid:8)$ (cid:13)(cid:13)(cid:18)(cid:25)(cid:24)(cid:8)(cid:7)(cid:13)(cid:28)(cid:25)(cid:21)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:29)(cid:18)(cid:13) - + (cid:2) - + - (cid:3)(cid:21) • (cid:22)(cid:19)(cid:23)(cid:22)(cid:24)(cid:8)(cid:17)(cid:12)(cid:25)(cid:24)(cid:13)(cid:12)(cid:20)(cid:20)(cid:18)(cid:22)(cid:8)(cid:26)(cid:27)(cid:8)(cid:3)(cid:21) + • (cid:4)(cid:13)(cid:16)(cid:19)(cid:18)(cid:13)(cid:8)(cid:21)(cid:28)(cid:29)(cid:18)(cid:8)(cid:24)(cid:27)(cid:30)(cid:18)(cid:8)(cid:28)(cid:21)(cid:8)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:5) - (cid:2)(cid:1)(cid:1) • (cid:31)(cid:2)(cid:1)(cid:8)(cid:17)(cid:12)(cid:25)(cid:24)(cid:13)(cid:12)(cid:20)(cid:20)(cid:18)(cid:22)(cid:8)(cid:26)(cid:27)(cid:8)(cid:4) (cid:24)(cid:27)(cid:8)!(cid:28)(cid:17)(cid:24)(cid:12)(cid:13)(cid:8)"(cid:4)" • (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:8)#(cid:8)(cid:4)(cid:18)(cid:19)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:8)(cid:6)(cid:25)(cid:22)(cid:18)(cid:13)(cid:8)(cid:7)(cid:18)(cid:21)(cid:24) Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period V =10V (cid:11) GS D.U.T. I Waveform SD Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. V Waveform DS Diode Recovery dv/dt V DD Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent Ripple ≤ 5% ISD (cid:11)(cid:8)(cid:2) (cid:8)(cid:9)(cid:8)(cid:10)(cid:2)(cid:8)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:8)(cid:14)(cid:12)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:8)(cid:14)(cid:18)(cid:19)(cid:18)(cid:20)(cid:8)(cid:4)(cid:18)(cid:19)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:21) (cid:21)(cid:2) Fig 14. For N-Channel HEXFET(cid:1)(cid:4)Power MOSFETs www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:24)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:9)(cid:26)(cid:15)(cid:27)(cid:17)(cid:18)(cid:25) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:8)(cid:6)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:6)(cid:9)(cid:4)(cid:3)(cid:14)(cid:14)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:15)(cid:5)(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:16)(cid:3)(cid:6)(cid:17)(cid:12)(cid:5)(cid:7)(cid:18) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:14)(cid:5)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) EXAMPLE: THIS IS AN IRFR120 PART NUMBER WITH ASSEMBLY INTERNATIONAL LOT CODE 1234 RECTIFIER IRFU120 DATE CODE ASSEMBLED ON WW 16, 1999 LOGO 916A YEAR 9 = 1999 IN THE ASSEMBLY LINE "A" 12 34 WEEK 16 LINE A Note: "P" in assembly line position ASSEMBLY indicates "Lead-Free" LOT CODE OR PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER IRFU120 DATE CODE LOGO P = DESIGNATES LEAD-FREE PRODUCT (OPTIONAL) 12 34 YEAR 9 = 1999 ASSEMBLY WEEK 16 LOT CODE A = ASSEMBLY SITE CODE 8 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:3) (cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:28)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:24)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:9)(cid:26)(cid:15)(cid:27)(cid:17)(cid:18)(cid:25) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:8)(cid:6)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:6)(cid:9)(cid:4)(cid:3)(cid:14)(cid:14)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:15)(cid:5)(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:16)(cid:3)(cid:6)(cid:17)(cid:12)(cid:5)(cid:7)(cid:18) (cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:28)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:14)(cid:5)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) EXAMPLE: THIS IS AN IRFU120 PART NUMBER INTERNATIONAL WALOSITSTH EC MAOSBDSLEEE MD56 BO7L8NY WW 19, 1999 RELCOTGIFOIER IRFU192109A YDEAATRE 9C O=D 1E999 56 78 WEEK 19 IN THE ASSEMBLY LINE "A" LINE A Note: "P" in assembly line ASSEMBLY position indicates "Lead-Free" LOT CODE (cid:1)(cid:2) PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER IRFU120 DATE CODE LOGO P = DESIGNATES LEAD-FREE 56 78 PRODUCT (OPTIONAL) YEAR 9 = 1999 ASSEMBLY WEEK 19 LOT CODE A = ASSEMBLY SITE CODE www.irf.com 9

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:8)(cid:4)(cid:29)(cid:25)(cid:6)(cid:30)(cid:6)(cid:31)(cid:25)(cid:25)(cid:27)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:8)(cid:6)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:6)(cid:9)(cid:4)(cid:3)(cid:14)(cid:14)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:15)(cid:5)(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:16)(cid:3)(cid:6)(cid:17)(cid:12)(cid:5)(cid:7)(cid:18) TR TRR TRL 16.3 ( .641 ) 16.3 ( .641 ) 15.7 ( .619 ) 15.7 ( .619 ) 12.1 ( .476 ) 8.1 ( .318 ) FEED DIRECTION FEED DIRECTION 11.9 ( .469 ) 7.9 ( .312 ) NOTES : 1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER. 2. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS ( INCHES ). 3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541. 13 INCH 16 mm NOTES : 1. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481. (cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10) (cid:3)(cid:8)Repetitive rating; pulse width limited by (cid:2) Pulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%. max. junction temperature. (cid:4) (cid:8)Starting TJ = 25°C, L = 11mH (cid:5) Coss eff. is a fixed capacitance that gives the same charging time RG = 25Ω, IAS = 2.9A. as Coss while VDS is rising from 0 to 80% VDSS (cid:1)ISD ≤ 2.9A, di/dt ≤ 320A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, TJ ≤ 175°C *(cid:8)(cid:8)When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material). For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information. Data and specifications subject to change without notice. 12/04 10 www.irf.com

Note: For the most current drawings please refer to the IR website at: http://www.irf.com/package/

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRFR220NPBF IRFR220NTRPBF IRFR220NTRRPBF IRFR220NTRLPBF IRFU220NPBF