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产品简介:
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IXYS品牌的IXTA1R6N50D2是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单N沟道功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性,适用于多种电源管理和功率转换应用。 主要应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器,用于高效能开关电源(SMPS)中,实现电能的高效转换与调节。 2. 电机驱动:在小型电机控制电路中作为开关元件,用于电动工具、家用电器或工业自动化设备中的电机驱动电路。 3. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制电路中,作为高效率开关,保护电池组免受过流或短路损坏。 4. LED照明驱动:应用于高亮度LED驱动电路,提供稳定电流控制和高效能转换。 5. 逆变器系统:如太阳能逆变器、UPS不间断电源等,用于将直流电转换为交流电的核心开关元件。 6. 汽车电子:适用于车载电源系统、车载充电器等对可靠性要求较高的场景。 该MOSFET具有良好的热稳定性和高耐用性,适合在中高功率应用中使用,尤其在需要高效、小型化设计的电子产品中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 500V 1.6A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 耗尽模式 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | IXYS |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IXTA1R6N50D2 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 645pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23.7nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.3 欧姆 @ 800mA,0V |
供应商器件封装 | TO-263 (IXTA) |
功率-最大值 | 100W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.6A (Tc) |