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  • 型号: IXTA1R6N50D2
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTA1R6N50D2由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTA1R6N50D2价格参考。IXYSIXTA1R6N50D2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTA1R6N50D2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTA1R6N50D2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXTA1R6N50D2是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单N沟道功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性,适用于多种电源管理和功率转换应用。

主要应用场景包括:

1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器,用于高效能开关电源(SMPS)中,实现电能的高效转换与调节。

2. 电机驱动:在小型电机控制电路中作为开关元件,用于电动工具、家用电器或工业自动化设备中的电机驱动电路。

3. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制电路中,作为高效率开关,保护电池组免受过流或短路损坏。

4. LED照明驱动:应用于高亮度LED驱动电路,提供稳定电流控制和高效能转换。

5. 逆变器系统:如太阳能逆变器、UPS不间断电源等,用于将直流电转换为交流电的核心开关元件。

6. 汽车电子:适用于车载电源系统、车载充电器等对可靠性要求较高的场景。

该MOSFET具有良好的热稳定性和高耐用性,适合在中高功率应用中使用,尤其在需要高效、小型化设计的电子产品中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 500V 1.6A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

耗尽模式

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

数据手册

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产品图片

产品型号

IXTA1R6N50D2

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)

645pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

23.7nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.3 欧姆 @ 800mA,0V

供应商器件封装

TO-263 (IXTA)

功率-最大值

100W

包装

管件

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.6A (Tc)

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