ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF2807PBF

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号： IRF2807PBF
  • 制造商： International Rectifier
  • 库位|库存： xxxx|xxxx
  • 要求：
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRF2807PBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF2807PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF2807PBF价格参考￥4.77-￥4.77。International RectifierIRF2807PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 75V 82A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRF2807PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF2807PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。 

Infineon Technologies的IRF2807PBF是一款N沟道功率MOSFET，其应用场景主要包括以下几个方面：

1. 开关电源（SMPS）：IRF2807PBF适用于开关电源中的功率开关，能够高效地进行电压转换和电流控制。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少能量损耗，提高整体效率。

2. 电机驱动：该器件适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，能够快速响应并提供稳定的电流输出。在电动工具、家用电器等领域有广泛应用。

3. DC-DC转换器：作为同步整流器或主开关使用时，IRF2807PBF可以显著降低功耗，提升转换效率。其高频率工作能力使其非常适合现代高效能DC-DC转换器设计。

4. 电池管理与保护：在电池组充放电管理系统中，此MOSFET可用于过流保护、短路保护及负载切换等功能，确保电池安全运行。

5. 逆变器：应用于小型光伏逆变器或其他类型的逆变设备中，实现交流-直流或直流-交流转换过程中的高效功率传递。

6. 负载开关：用作负载开关以控制不同电路模块之间的电力传输路径，保证系统稳定性和安全性。

7. 汽车电子系统：尽管不是车规级产品，但在一些非关键性的车载应用中也可考虑使用，如照明控制、风扇调节等。

综上所述，IRF2807PBF凭借其优良的电气性能，在众多需要高效功率转换和控制的场合都具有良好的适应性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品
描述

MOSFET N-CH 75V 82A TO-220ABMOSFET MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
产品分类

FET - 单分离式半导体
FET功能

标准
FET类型

MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent

82 A
Id-连续漏极电流

82 A
品牌

International Rectifier
产品手册

点击此处下载产品Datasheet
产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF2807PBFHEXFET®
数据手册

点击此处下载产品Datasheet
产品型号

IRF2807PBF
Pd-PowerDissipation

200 W
Pd-功率耗散

200 W
Qg-GateCharge

106.7 nC
Qg-栅极电荷

106.7 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance

13 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻

13 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

75 V
Vds-漏源极击穿电压

75 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V
Vgs-栅源极击穿电压

20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)

3820pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

160nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）

13 毫欧 @ 43A，10V
产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类

MOSFET
供应商器件封装

TO-220AB
其它名称

*IRF2807PBF
功率-最大值

230W
功率耗散

200 W
包装

管件
商标

International Rectifier
安装类型

通孔
安装风格

Through Hole
导通电阻

13 mOhms
封装

Tube
封装/外壳

TO-220-3
封装/箱体

TO-220-3
工厂包装数量

50
晶体管极性

N-Channel
栅极电荷Qg

106.7 nC
标准包装

50
汲极/源极击穿电压

75 V
漏极连续电流

82 A
漏源极电压(Vdss)

75V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）

82A （Tc）
设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf2807.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf2807.spi
闸/源击穿电压

20 V
推荐商品

型号：IRL8113PBF

品牌：Infineon Technologies

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：IXFK74N50P2

品牌：IXYS

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：FDV301N

品牌：ON Semiconductor

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：SI8810EDB-T2-E1

品牌：Vishay Siliconix

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：SI1011X-T1-GE3

品牌：Vishay Siliconix

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：FDC3612

品牌：ON Semiconductor

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：IRL510A

品牌：ON Semiconductor

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：IXTH180N10T

品牌：IXYS

产品名称：分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
最新资讯
IRF2807PBF 相关产品

IRF9510SPBF

品牌：Vishay Siliconix

价格：￥3.20-￥4.00

联系销售

TK50P03M1(T6RSS-Q)

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

价格：￥6.25-￥7.15

联系销售

FQD4P25TF

品牌：ON Semiconductor

价格：￥2.28-￥2.28

联系销售

SI8401DB-T1-E1

品牌：Vishay Siliconix

价格：

联系销售

FQP50N06L

品牌：ON Semiconductor

价格：￥4.30-￥4.30

联系销售

IRFP460APBF

品牌：Vishay Siliconix

价格：

联系销售

SPB07N60C3ATMA1

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系销售

RJK0451DPB-00#J5

品牌：Renesas Electronics America

价格：

联系销售
猜你喜欢 最新产品推荐 其他制造商
PHB38N02LT,118
FDP8874
IPB025N08N3GATMA1
IRL640PBF
IRF4905LPBF
IRFPF40PBF
STD1NK80Z-1
RHK003N06T146
BSP88L6327HTSA1
BUK9616-75B,118
AOWF10N60
STF30N10F7
SI7446BDP-T1-GE3
PSMN6R1-30YLDX
FCA22N60N
FDD86540
STB18N60M2
IXTA50N20P
STP22NM60N
IRL3103D1STRR
IRFR3710ZTRLPBF
IRF740A
FQD8N25TF
2N7002E
SSM6K217FE,LF
SI7174DP-T1-GE3
FDP120AN15A0
IRFB3307ZGPBF
FDP61N20
FDV303N_NB9U008
FQP9N08
IRF3709STRLPBF
IRFSL7537PBF
CSD19505KCS
FQB17P10TM
TPN5900CNH,L1Q
IRFR1018EPBF
PMV20ENR
C2M1000170D
DMN6066SSS-13
IXFK36N60P
FQP7N80C
SI4178DY-T1-E3
STP7NM80
NDFPD1N150CG
AO3406L
BSP149H6906XTSA1
FQA30N40
SIHF15N65E-GE3
NTD4813N-35G
International Rectifier

PDF Datasheet 数据手册内容提取

PD - 94970A IRF2807PbF HEXFET® Power MOSFET (cid:1) Advanced Process Technology (cid:1) Ultra Low On-Resistance D V = 75V (cid:1) Dynamic dv/dt Rating DSS (cid:1) 175°C Operating Temperature R = 13mΩ (cid:1) Fast Switching DS(on) G (cid:1) Fully Avalanche Rated (cid:1) Lead-Free ID = 82A(cid:1) S Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute TO-220AB to its wide acceptance throughout the industry. Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V 82(cid:1) D C GS I @ T = 100°C Continuous Drain Current, V @ 10V 58 A D C GS I Pulsed Drain Current (cid:2) 280 DM P @T = 25°C Power Dissipation 230 W D C Linear Derating Factor 1.5 W/°C V Gate-to-Source Voltage ± 20 V GS I Avalanche Current(cid:2) 43 A AR E Repetitive Avalanche Energy(cid:2) 23 mJ AR dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt (cid:3) 5.9 V/ns T Operating Junction and -55 to + 175 J TSTG Storage Temperature Range °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 srew 10 lbf•in (1.1N•m) Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case ––– 0.65 RθCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50 ––– °C/W RθJA Junction-to-Ambient ––– 62 www.irf.com 1 (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:3)(cid:5)(cid:1)

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:3) Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 75 ––– ––– V VGS = 0V, ID = 250µA ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.074 ––– V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– ––– 13 mΩ VGS = 10V, ID = 43A(cid:3)(cid:4) VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 ––– 4.0 V VDS = VGS, ID = 250µA gfs Forward Transconductance 38 ––– ––– S VDS = 50V, ID = 43A(cid:4) IDSS Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 25 µA VDS = 75V, VGS = 0V ––– ––– 250 VDS = 60V, VGS = 0V, TJ = 150°C I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 nA VGS = 20V GSS Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 VGS = -20V Qg Total Gate Charge ––– ––– 160 ID = 43A Qgs Gate-to-Source Charge ––– ––– 29 nC VDS = 60V Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– ––– 55 VGS = 10V, See Fig. 6 and 13 td(on) Turn-On Delay Time ––– 13 ––– VDD = 38V tr Rise Time ––– 64 ––– ns ID = 43A td(off) Turn-Off Delay Time ––– 49 ––– RG = 2.5Ω tf Fall Time ––– 48 ––– VGS = 10V, See Fig. 10 (cid:4) L Internal Drain Inductance ––– (cid:10)(cid:11)(cid:12) ––– Between lead, D D 6mm (0.25in.) nH from package G L Internal Source Inductance ––– (cid:2)(cid:11)(cid:12) ––– S and center of die contact S Ciss Input Capacitance ––– 3820 ––– VGS = 0V Coss Output Capacitance ––– 610 ––– VDS = 25V Crss Reverse Transfer Capacitance ––– 130 ––– pF ƒ = 1.0MHz, See Fig. 5 E Single Pulse Avalanche Energy(cid:5) ––– 1280(cid:4)340(cid:5) mJ I = 50A, L = 370µH AS AS Source-Drain Ratings and Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current ––– ––– 82(cid:2) MOSFET symbol D (Body Diode) showing the (cid:6) ISM P(Buolsdeyd D Siooduerc)(cid:2)e Current ––– ––– 280 ipn-tne gjuranlc trieovne drsioede. G S VSD Diode Forward Voltage ––– ––– 1.2 V TJ = 25°C, IS = 43A, VGS = 0V (cid:4) trr Reverse Recovery Time ––– 100 150 ns TJ = 25°C, IF = 43A Qrr Reverse Recovery Charge ––– 410 610 nC di/dt = 100A/µs (cid:4) ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6) (cid:2)(cid:7)Repetitive rating; pulse width limited by (cid:4) Pulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%. max. junction temperature. (See fig. 11) (cid:6) This is a typical value at device destruction and represents (cid:5) Starting T = 25°C, L = 370µH operation outside rated limits. (cid:3) IRSDG ≤=(cid:7) 4235AΩ(cid:8)(cid:7),Jd I iA/dS (cid:9)=(cid:7)≤ 4(cid:7)330A0,A V/µGsS,= V10DVD(cid:1) ≤(S(cid:7)Ve(eB RF)DigSuSr,e 12) (cid:7)(cid:1) CThailsc uisla ate cda clcounlatinteudo uvsa lucuer rliemnitt ebda stoe dT Jo n= m17a5x°iCm u.m allowable T ≤ 175°C junction temperature. Package limitation current is 75A. J 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:3) 1000 1000 VGS VGS TOP 15V TOP 15V 10V 10V A) 87..00VV A) 87..00VV nt ( 65..05VV nt ( 65..05VV e 5.0V e 5.0V urr BOTTOM4.5V urr BOTTOM4.5V C C e e c c ur ur o 100 o 100 S S o- o- n-t n-t ai ai 4.5V Dr Dr I , D 4.5V I , D 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH TJ = 25°C TJ = 175°C 10 10 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VD S , Drain-to-Source Voltage (V) V D S , Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 3.0 ID=71A e c n nt (A) sista 2.5 e T = 25 ° C e Source Curr 100 J TJ = 175 ° C Source On Rmalized) 12..50 ain-to- ain-to-(Nor 1.0 Dr Dr I , D V20 D µ Ss =P U25LVSE WIDTH R , DS(on) 0.5 VGS=10V 10 0.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180 VG S , Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature ( ° C) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:3) 20 7000 ID=43A VGS = 0V, f = 1 MHZ 6000 CCCroissssss === CCCgdgdss ++ CCggdd, Cds SHORTED age (V) 16 VVVDDDSSS=== 136570VVV F)5000 Ciss olt p V e( e 12 c4000 c an ur cti So Capa3000 Coss e-to- 8 C, 2000 Gat 1000 Crss V , GS 4 FOR TEST CIRCUIT 0 SEE FIGURE 1 3 0 1 10 100 0 40 80 120 160 Q , Total Gate Charge (nC) V , Drain-to-Source Voltage (V) G DS Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 1000 1000 OPERATION IN THIS AREA nt (A) 100 A) LIMITED BY RDS(on) n Curre TJ = 175 ° C uenrr(t 100 Drai 10 Cec 100µsec e ur s o ver So- Re TJ = 25 ° C n-t 10 1msec I , SD 1 Dar , iD Tc = 25°C I Tj = 175°C 0.1 V G S = 0 V Single Pulse 10msec 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 1 V S D ,Source-to-Drain Voltage (V) 1 10 100 1000 V , Drain-toSource Voltage (V) DS Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:3) 100 (cid:14) (cid:2) (cid:13) LIMITED BY PACKAGE (cid:2)(cid:3) (cid:13) (cid:21)(cid:3) 80 (cid:15)(cid:11)(cid:16)(cid:11)(cid:17)(cid:11) nt (A) (cid:14)(cid:21) +-(cid:13)(cid:2)(cid:2) e 60 urr (cid:13)(cid:21)(cid:3) C ain (cid:4)(cid:2)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:12)(cid:7)(cid:15)(cid:8)(cid:1)(cid:16)(cid:1)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:10)(cid:12)(cid:11)(cid:19)(cid:12)(cid:20)(cid:13)(cid:1)(cid:1)≤≤ 01. 1(cid:14) %(cid:7) Dr 40 I , D (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:12)(cid:1)(cid:10)(cid:12)(cid:13)(cid:5)(cid:1)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:5) 20 VDS 90% 0 25 50 75 100 125 150 175 T , Case Temperature ( ° C) C 10% Fig 9. Maximum Drain Current Vs. VGS Case Temperature td(on) tr td(off) tf (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:9)(cid:8)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:12)(cid:1)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:12)(cid:20)(cid:21)(cid:15)(cid:11)(cid:13) 1 ) Z thJC D = 0.50 ( e s 0.20 n o p 0.1 es 0.10 R al 0.05 PDM m t1 her 0.02 (THESRINMGALLE R PEUSLPSOENSE) t2 T 0.01 Notes: 1. Duty factor D = t 1 / t2 2. Peak TJ=PDMx ZthJC+ TC 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:3) 600 J) ID 15V m TOP 18A ( gy 500 30A r BOTTOM 43A e VDS L DRIVER En e 400 h c RG D.U.T + n IAS - VDDA vala 300 2V0GVS tp 0.01Ω e A s (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:11)(cid:7)(cid:8)(cid:4)(cid:1)(cid:25)(cid:8)(cid:6)(cid:26)(cid:18)(cid:11)(cid:27)(cid:12)(cid:28)(cid:1)(cid:29)(cid:8)(cid:28)(cid:16)(cid:6)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:12)(cid:1)(cid:10)(cid:12)(cid:13)(cid:5)(cid:1)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:5) Pul 200 e gl n tp V(BR)DSS E , SiAS100 0 25 50 75 100 125 150 175 Starting T , Junction Temperature ( ° C) J (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:1)(cid:1)(cid:30)(cid:18)(cid:31)(cid:4)(cid:11)(cid:16)(cid:11)(cid:1) (cid:19)(cid:18)(cid:26)(cid:18)(cid:8)(cid:6)(cid:7)(cid:12)(cid:1)!(cid:8)(cid:12)(cid:15)(cid:9)" (cid:22)(cid:13)#(cid:1)$(cid:15)(cid:18)(cid:4)(cid:8)(cid:1)(cid:14)(cid:16)(cid:15)(cid:15)(cid:12)(cid:8)(cid:5) IAS (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:11)(cid:9)(cid:8)(cid:4)(cid:1)(cid:25)(cid:8)(cid:6)(cid:26)(cid:18)(cid:11)(cid:27)(cid:12)(cid:28)(cid:1)(cid:29)(cid:8)(cid:28)(cid:16)(cid:6)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:12)(cid:1)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:12)(cid:20)(cid:21)(cid:15)(cid:11)(cid:13) Current Regulator Same Type as D.U.T. 50KΩ 12V .2µF QG .3µF (cid:22) + (cid:1)(cid:2) D.U.T. -VDS Q Q GS GD VGS V G 3mA IG ID Charge Current Sampling Resistors (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:10)(cid:7)(cid:8)(cid:4)(cid:1)(cid:24)(cid:18)(cid:13)(cid:4)(cid:6)(cid:1)(cid:23)(cid:18)(cid:5)(cid:12)(cid:1)(cid:14)(cid:7)(cid:18)(cid:15)(cid:9)(cid:12)(cid:1)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:12)(cid:20)(cid:21)(cid:15)(cid:11) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:10)(cid:9)(cid:8)(cid:4)(cid:1)(cid:23)(cid:18)(cid:5)(cid:12)(cid:1)(cid:14)(cid:7)(cid:18)(cid:15)(cid:9)(cid:12)(cid:1)(cid:10)(cid:12)(cid:13)(cid:5)(cid:1)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:5) 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:8)(cid:12)(cid:2)(cid:13)(cid:14)(cid:5)(cid:9)(cid:12)(cid:15)(cid:9)(cid:16)(cid:5)(cid:17)(cid:2)(cid:18)(cid:16)(cid:5)(cid:19)(cid:7)(cid:13)(cid:11)(cid:20)(cid:7)(cid:16) + $"(cid:23)(cid:20)(cid:29)"(cid:9)(cid:7)%(cid:31)(cid:27)(cid:21)(cid:29)(cid:9)(cid:7)$(cid:21)(cid:22)#"(cid:18)(cid:25)(cid:23)(cid:31)(cid:9)"(cid:21)(cid:22)# (cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:8)(cid:10)% • (cid:7)%(cid:21)&(cid:7)’(cid:9)(cid:23)(cid:31)(cid:27)(cid:7)(cid:28)(cid:22)(cid:18)(cid:29)(cid:20)(cid:9)(cid:31)(cid:22)(cid:20)(cid:25) (cid:7)(cid:7) • ((cid:23)(cid:21)(cid:29)(cid:22)(cid:18)(cid:7))(cid:24)(cid:31)(cid:22)(cid:25) (cid:3) (cid:7)(cid:7) • %(cid:21)&(cid:7)%(cid:25)(cid:31)*(cid:31)+(cid:25)(cid:7)(cid:28)(cid:22)(cid:18)(cid:29)(cid:20)(cid:9)(cid:31)(cid:22)(cid:20)(cid:25) (cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)$(cid:29)(cid:23)(cid:23)(cid:25)(cid:22)(cid:9)(cid:7)(cid:17)(cid:23)(cid:31)(cid:22)#,(cid:21)(cid:23)-(cid:25)(cid:23) - + (cid:5) (cid:4) - + - (cid:2) (cid:14)(cid:21) • (cid:18)(cid:19)(cid:3)(cid:18)(cid:9)(cid:7)(cid:20)(cid:21)(cid:22)(cid:9)(cid:23)(cid:21)(cid:24)(cid:24)(cid:25)(cid:18)(cid:7)(cid:26)(cid:27)(cid:7)(cid:14)(cid:21) + • (cid:28) (cid:7)(cid:20)(cid:21)(cid:22)(cid:9)(cid:23)(cid:21)(cid:24)(cid:24)(cid:25)(cid:18)(cid:7)(cid:26)(cid:27)(cid:7)(cid:15)(cid:29)(cid:9)(cid:27)(cid:7)(cid:30)(cid:31)(cid:20)(cid:9)(cid:21)(cid:23)(cid:7) (cid:15) (cid:13) • (cid:15)(cid:3)(cid:11)(cid:2)(cid:16)(cid:11)(cid:17)(cid:11)(cid:7)!(cid:7)(cid:15)(cid:25)(cid:19)"(cid:20)(cid:25)(cid:7)(cid:16)(cid:22)(cid:18)(cid:25)(cid:23)(cid:7)(cid:17)(cid:25)#(cid:9) - (cid:2)(cid:2) (cid:13) (cid:21)(cid:3) %(cid:7)(cid:7)(cid:14)(cid:25)(cid:19)(cid:25)(cid:23)#(cid:25)(cid:7))(cid:21)(cid:24)(cid:31)(cid:23)"(cid:9)(cid:27)(cid:7)(cid:21),(cid:7)(cid:15)(cid:11)(cid:16)(cid:11)(cid:17)(cid:7),(cid:21)(cid:23)(cid:7))!$.(cid:31)(cid:22)(cid:22)(cid:25)(cid:24) Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4) V =10V GS D.U.T. I Waveform SD Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. V Waveform DS Diode Recovery dv/dt (cid:1)(cid:2)V(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3) DD Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent &(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)’ Ripple ≤ 5% ISD %%%(cid:7)(cid:13) (cid:7)/(cid:7)(cid:12)(cid:11)(cid:1)(cid:13)(cid:7),(cid:21)(cid:23)(cid:7)%(cid:21)+"(cid:20)(cid:7)%(cid:25)(cid:19)(cid:25)(cid:24)(cid:7)(cid:31)(cid:22)(cid:18)(cid:7)0(cid:13)(cid:7)(cid:15)(cid:23)"(cid:19)(cid:25)(cid:7)(cid:15)(cid:25)(cid:19)"(cid:20)(cid:25)# (cid:21)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:13)(cid:8)(cid:4)For N-channel(cid:1)HEXFET® power MOSFETs www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:3) (cid:10)()**+ (cid:24)(cid:1),(cid:18)(cid:6)-(cid:18)(cid:9)(cid:12)(cid:1)((cid:16)(cid:5)(cid:26)(cid:4)(cid:8)(cid:12).(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:11)(cid:7)(cid:12)(cid:5)(cid:8)(cid:2)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:2)(cid:13)(cid:13)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:15)(cid:2)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:17)(cid:17) (cid:10)()**+ (cid:24)(cid:1),(cid:18)(cid:15)(cid:5)(cid:1)(cid:30)(cid:18)(cid:15)-(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:29)(cid:8)(cid:20)(cid:21)(cid:15)(cid:11)(cid:18)(cid:5)(cid:4)(cid:21)(cid:8) EXAMPLE: THIS IS AN IRF1010 LOT CODE 1789 INTERNATIONAL PART NUMBER ASSEMBLED ON WW 19, 2000 RECTIFIER IN THE ASSEMBLY LINE "C" LOGO DATE CODE Note: "P" in assembly line position ASSEMBLY YEAR 0 = 2000 indicates "Lead - Free" LOT CODE WEEK 19 LINE C TO-220AB package is not recommended for Surface Mount Application. Notes: 1. For an Automotive Qualified version of this part please seehttp://www.irf.com/product-info/auto/ 2. For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/ Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the Industrial market. Qualification Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information. 07/2010 8 www.irf.com

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRF2807PBF