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Datasheet下载- 型号： FDG330P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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FDG330P产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDG330P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDG330P价格参考。Fairchild SemiconductorFDG330P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 12V 2A（Ta） 750mW（Ta） SC-70-6。您可以下载FDG330P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDG330P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDG330P 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 P 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其应用场景广泛，主要适用于需要高效开关和低功耗的电路设计。以下是 FDG330P 的典型应用场景： 1. 电源管理： FDG330P 常用于电源管理模块中，例如负载开关、电压调节器和 DC-DC 转换器。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以减少功率损耗，提高系统效率。 2. 电池保护电路： 在便携式设备（如手机、平板电脑和笔记本电脑）中，FDG330P 可用于电池保护电路，实现过流保护、短路保护以及反向电流阻断功能。 3. 电机驱动： 该 MOSFET 可用于小型直流电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。 4. 负载切换： 在汽车电子和工业控制领域，FDG330P 可用作负载切换开关，实现对不同负载的快速开启和关闭。 5. 逆变器和转换器： 它适用于小型逆变器和电源转换器的设计，提供高效的电力传输和转换能力。 6. 信号隔离与切换： 在通信设备和信号处理电路中，FDG330P 可用于信号隔离和切换，确保信号的准确传输。 7. LED 驱动： 该器件可用于 LED 照明系统的驱动电路中，通过精确控制电流来调节 LED 的亮度。 8. 热插拔保护： 在服务器和网络设备中，FDG330P 可用于热插拔保护电路，防止因瞬时电流冲击导致的损坏。 总之，FDG330P 凭借其出色的电气性能和可靠性，适合应用于消费电子、工业自动化、汽车电子和通信设备等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.8V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDG330PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDG330P |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.75 W |
| Pd-功率耗散 | 750 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 110 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 110 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 477pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 110 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 |
| 其它名称 | FDG330PDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 480mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 28 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 6.8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Ta） |
| 系列 | FDG330P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
| 零件号别名 | FDG330P_NL |
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