Datasheet下载- 型号： IRFR3910TRR
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR3910TRR由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR3910TRR价格参考。International RectifierIRFR3910TRR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR3910TRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR3910TRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IRFR3910TRR是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单MOSFET器件，广泛应用于需要高效功率控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能的特点，适合用于中高功率应用。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，用于高效能转换与稳压控制。 2. 电机驱动：在电动工具、电动车、工业自动化设备中作为电机控制开关。 3. 负载开关：用于控制高电流负载的通断，例如LED照明、加热元件等。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源和逆变器中用于电能转换与调节。 5. 汽车电子：如车载充电系统、电池管理系统（BMS）等对可靠性要求较高的场景。 IRFR3910TRR采用TO-252封装，便于散热和安装，适用于表面贴装工艺，适合在紧凑型电路设计中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 16A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFR3910TRR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 640pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 115 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 79W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr3910.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr3910.spi |
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