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Datasheet下载- 型号： STW55NM50N
- 制造商： STMicroelectronics
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STW55NM50N产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW55NM50N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW55NM50N价格参考。STMicroelectronicsSTW55NM50N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 54A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3。您可以下载STW55NM50N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW55NM50N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STW55NM50N是一款N沟道增强型功率MOSFET，常用于高电压和高功率应用场景。该器件具有500V的漏源击穿电压（VDS）和较高的电流承载能力，适合需要高效能和高可靠性的电力电子系统。 其典型应用场景包括： 1. 电源转换系统：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC整流器，适用于工业电源设备和服务器电源模块。 2. 电机驱动：用于工业自动化设备、电机控制和电动工具中，提供高效的开关性能和低导通损耗。 3. 照明系统：如LED路灯、工业照明等高功率照明设备中的恒流驱动电路。 4. 家电控制：在洗衣机、空调、电磁炉等家用电器中作为功率开关使用。 5. 新能源领域：例如太阳能逆变器、储能系统中的功率调节模块，适用于需要高耐压和低损耗的场合。 该MOSFET采用TO-247封装，具备良好的热稳定性和散热性能，适用于高功率密度设计。其快速开关特性也有助于提升系统效率，降低能耗。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 54A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | STW55NM50N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5800pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 54 毫欧 @ 27A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-8462-5 |
| 功率-最大值 | 350W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 54A （Tc） |
