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产品简介:
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PMN45EN,165 是 NXP USA Inc. 生产的一款单通道 N 沟道 MOSFET,属于高性能功率晶体管,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于 DC-DC 转换器、同步整流电路和电压调节模块(VRM),因其低导通电阻(RDS(on))可减少能量损耗,提高转换效率。 2. 电池供电设备:常用于便携式电子产品如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中,作为负载开关或电源切换元件,有助于延长电池续航时间。 3. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机控制电路中,PMN45EN,165 可作为驱动开关,提供快速响应和可靠控制,适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。 4. LED 驱动与照明系统:用于恒流 LED 驱动电路,实现高效稳定的亮度控制,适用于车载照明、建筑照明及背光系统。 5. 热插拔与电源开关应用:凭借其良好的电流处理能力和过载保护兼容性,适合用于热插拔控制器或电源多路复用电路中,防止浪涌电流损坏系统。 该器件采用小型封装(如 SOT1220),节省 PCB 空间,适合高密度布局设计。同时具备良好的热稳定性和可靠性,可在工业级温度范围内稳定运行,适用于消费电子、工业控制和汽车电子等多种环境。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PMN45EN,165 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 495pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.1nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 40 毫欧 @ 3A,10V |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
其它名称 | 934057328165 |
功率-最大值 | 1.75W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
标准包装 | 10,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.2A (Ta) |