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Datasheet下载- 型号： IXFH18N90P
- 制造商： IXYS
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IXFH18N90P产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH18N90P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH18N90P价格参考。IXYSIXFH18N90P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 900V 18A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)。您可以下载IXFH18N90P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFH18N90P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFH18N90P是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单N沟道功率MOSFET。该器件具有900V的高漏源击穿电压和18A的连续漏极电流能力，适用于高电压、中等功率的开关应用。 主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于工业级开关电源、AC-DC转换器和DC-DC变换器中，作为主开关元件，因其高耐压和良好的开关性能，可提高电源效率与可靠性。 2. 逆变器系统：适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和电机驱动逆变器，用于直流到交流的电能转换，支持高频开关操作，有助于减小系统体积并提升能效。 3. 电机控制：在工业电机驱动和高压风机控制中，IXFH18N90P可用于PWM调速控制，具备良好的热稳定性和动态响应能力。 4. 高压电源设备：如X射线发生器、激光电源、静电除尘等需要高电压输出的特种电源中，该MOSFET可作为关键开关元件。 5. 感应加热与电磁炉：适用于中高频感应加热系统，利用其快速开关特性实现高效能量转换。 该器件采用TO-247封装，散热性能良好，适合在高温工业环境中稳定运行。由于其高耐压和较强电流能力，IXFH18N90P在要求高可靠性和长期稳定性的电力电子系统中具有广泛应用价值。使用时需配合适当的驱动电路与散热设计，以充分发挥其性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH TO-247MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFH18N90PPolar™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFH18N90P |
| Pd-PowerDissipation | 540 W |
| Pd-功率耗散 | 540 W |
| Qg-GateCharge | 97 nC |
| Qg-栅极电荷 | 97 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 600 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 600 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V to 6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V to 6 V |
| 上升时间 | 33 ns |
| 下降时间 | 44 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5230pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 97nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 600 毫欧 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AD （IXFH） |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 540W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | HiPerFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 600 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 10 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 900 V |
| 漏极连续电流 | 18 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ixys/polar_hiperfet_mosfets.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
| 系列 | IXFH18N90 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
