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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7233TR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7233TR价格参考。International RectifierIRF7233TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7233TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7233TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRF7233TR的晶体管,属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)- 单个类别。该器件是一种高性能的功率MOSFET,广泛应用于需要高效、高速开关性能的电力电子系统中。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的电源模块。 2. 电池管理系统:用于电池充放电控制、电池保护电路,特别是在便携式设备和电动工具中。 3. 电机控制:如无刷直流电机(BLDC)驱动、电动车辆(如滑板车、电动自行车)的控制系统。 4. 负载开关与电源分配:在多路供电系统中作为高效率的电子开关使用。 5. 汽车电子:如车载充电系统、车身控制模块(BCM)、LED照明驱动等,满足汽车工业对高可靠性和效率的需求。 IRF7233TR采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高电流能力和优良的热性能,适合高频开关应用,有助于提高系统效率并减小电路体积。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF7233TR |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 600mV @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6000pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 74nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 20 毫欧 @ 9.5A,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
供应商器件封装 | 8-SO |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 4,000 |
漏源极电压(Vdss) | 12V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.5A (Ta) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf7233.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf7233.spi |