Datasheet下载- 型号： FDP6035AL
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP6035AL由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP6035AL价格参考。Fairchild SemiconductorFDP6035AL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDP6035AL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP6035AL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP6035AL 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件常用于高频率开关和功率转换场合。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流器等，提供高效能的电源转换。 2. 电机控制：用于电机驱动电路中，实现对电机转速和方向的精确控制。 3. 负载开关：在电源管理系统中作为高效的电子开关使用，控制负载的通断。 4. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑和便携式设备中的电源管理模块。 5. 工业自动化：用于工业控制系统中的功率开关和驱动电路。 6. 汽车电子：如车载电源系统、LED照明驱动等对效率和可靠性有较高要求的应用。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压和良好热性能，适合中高功率应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 48A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDP6035AL |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1250pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12 毫欧 @ 24A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 52W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 48A （Ta） |
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