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Datasheet下载- 型号： IRLU3636PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLU3636PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLU3636PBF价格参考￥14.01-￥14.01。International RectifierIRLU3636PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLU3636PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLU3636PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的型号为IRLU3636PBF的器件是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET）类别。该器件广泛应用于需要高效、高速开关性能的电源管理系统中。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器等，提高能效并减小电源模块体积； 2. 电机控制：适用于电动工具、家用电器及工业自动化设备中的电机驱动电路； 3. 负载开关：作为高侧或低侧开关，用于控制电池供电设备的电源分配； 4. 逆变器与变频器：在UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和小型变频器中实现电能转换； 5. 汽车电子：如车载充电系统、车身控制模块等对可靠性和效率有较高要求的场景。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压（30V）、可承受较大持续漏极电流（约8A）的特点，适合中低功率应用。其封装形式为PG-TDSON-8，具备良好的热性能和空间利用率，适合高密度PCB布局。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 50A IPAKMOSFET MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 99 A |
| Id-连续漏极电流 | 99 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLU3636PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLU3636PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 143 W |
| Pd-功率耗散 | 143 W |
| Qg-GateCharge | 33 nC |
| Qg-栅极电荷 | 33 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3779pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 49nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.8 毫欧 @ 50A， 10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 143W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlr_u3636pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlr_u3636pbf.spi |
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