Datasheet下载- 型号： NTMFS4983NFT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4983NFT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4983NFT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4983NFT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMFS4983NFT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMFS4983NFT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMFS4983NFT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括： 1. 电源管理 NTMFS4983NFT1G 适用于各种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、降压和升压转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够减少功率损耗，提高效率，适合需要高效能的电源系统。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低损耗使其在电机驱动应用中表现出色。 3. 负载开关 在便携式设备、消费电子和工业控制系统中，NTMFS4983NFT1G 可用作负载开关，实现对不同负载的动态控制。它支持高频率操作，能够满足现代电子产品对快速响应的需求。 4. 电池保护与管理 该器件适用于锂电池或其他可充电电池的保护电路中，用于防止过流、短路或过放电等情况。其低导通电阻有助于降低电池系统的功耗，延长续航时间。 5. 逆变器与太阳能系统 在小型逆变器或太阳能微逆变器中，NTMFS4983NFT1G 可作为关键的开关元件，参与能量转换过程，将直流电转换为交流电以供使用。 6. 通信设备 在通信基础设施（如基站、路由器等）中，这款 MOSFET 可用于信号调理、电源分配和保护电路，确保设备稳定运行。 7. 汽车电子 尽管 NTMFS4983NFT1G 并非专门设计用于汽车级应用，但在某些非关键性车载电子模块（如照明控制、风扇控制等）中，它可以作为一种经济高效的解决方案。 总结来说，NTMFS4983NFT1G 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及新能源领域中的各种高效能开关和功率管理场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 160A SO8FLMOSFET NFET SO8FL 30V 160A 2.1MO |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 106 A |
| Id-连续漏极电流 | 106 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS4983NFT1G- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTMFS4983NFT1G |
| Pd-PowerDissipation | 38 W |
| Pd-功率耗散 | 38 W |
| Qg-GateCharge | 47.9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 47.9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.7 V |
| 上升时间 | 24.9 ns |
| 下降时间 | 10.7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3250pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 47.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.1 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | * |
| 典型关闭延迟时间 | 28.7 ns |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 功率耗散 | 38 W |
| 包装 | * |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.1 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | * |
| 封装/箱体 | SO-8FL |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 47.9 nC |
| 标准包装 | 1,500 |
| 正向跨导-最小值 | 60 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 106 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A （Ta）， 106A （Tc） |
| 系列 | NTMFS4983NF |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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