Datasheet下载- 型号： FDB150N10
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB150N10由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB150N10价格参考。Fairchild SemiconductorFDB150N10封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDB150N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB150N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB150N10 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优良的热性能，适用于多种功率电子系统。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等电路中，提高能效并减小系统体积； 2. 电机驱动：在直流电机、步进电机或无刷电机的控制电路中作为开关元件，实现高效调速与制动； 3. 工业自动化：用于PLC、工业电源、伺服驱动器等设备中的功率开关，具有高可靠性和长寿命； 4. 汽车电子：如车载电源系统、LED照明驱动、电动工具等，满足汽车应用中对耐温和可靠性的高要求； 5. 消费类电子产品：如笔记本电源适配器、充电器、UPS（不间断电源）等，提升系统效率与稳定性； 6. 新能源领域：在太阳能逆变器、储能系统中作为功率开关，支持高效率能量转换。 总之，FDB150N10凭借其优异性能，适用于多种中高功率应用场景，尤其适合对效率、散热和可靠性有较高要求的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 57A D2PAKMOSFET 100V N-Channel PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 57 A |
| Id-连续漏极电流 | 57 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB150N10PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDB150N10 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 15 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 15 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 164 ns |
| 下降时间 | 83 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4760pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 69nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15 毫欧 @ 49A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | FDB150N10CT |
| 典型关闭延迟时间 | 86 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 57A （Tc） |
| 系列 | FDB150N10 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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