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  • 型号: MTD2955VT4
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MTD2955VT4由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTD2955VT4价格参考。ON SemiconductorMTD2955VT4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MTD2955VT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTD2955VT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MTD2955VT4 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有较高的耐压和较大的导通电流能力,适合中高功率应用。

其主要应用场景包括:

1. 电源管理电路:用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电池充电器等,实现高效的电能转换与调节。

2. 负载开关控制:作为高边或低边开关,控制电机、继电器、LED 灯具等负载的通断,具有响应快、功耗低的优点。

3. 电机驱动电路:在小型电机或步进电机驱动中作为功率开关元件,适用于工业自动化、电动工具等领域。

4. 保护电路:用于过流、过压保护电路中,作为快速切断电源的开关器件。

5. 汽车电子系统:如车载电源系统、车灯控制模块等,得益于其良好的热稳定性和可靠性。

该 MOSFET 采用 TO-220 封装,便于散热,适合通孔安装,广泛应用于工业控制、消费电子和汽车电子领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MTD2955VT4

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

770pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

30nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

230 毫欧 @ 6A,10V

供应商器件封装

DPAK-3

其它名称

MTD2955VT4OS

功率-最大值

60W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12A (Tc)

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