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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD8878由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD8878价格参考¥1.94-¥2.07。Fairchild SemiconductorFDD8878封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDD8878参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD8878 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD8878 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,属于功率MOSFET器件,广泛应用于需要高效功率转换和控制的场合。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关等电源管理系统中,提供高效率和低导通损耗。 2. 电机驱动:适用于电动工具、风扇、泵类等中小型电机的驱动电路,具备高耐压和大电流能力,适合H桥驱动拓扑。 3. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制、保护电路中的开关元件,支持高频率开关操作,提升系统能效。 4. 汽车电子:如车载充电器、车身控制模块、LED照明驱动等,符合汽车级可靠性要求。 5. 工业控制:用于工业自动化设备中的功率开关、继电器替代、加热元件控制等。 FDD8878采用高性能沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和良好热性能,适合在中高功率应用中实现紧凑设计和高效运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 40A DPAKMOSFET 30V N-Channel PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD8878PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDD8878 |
| Pd-PowerDissipation | 40 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 15 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| 上升时间 | 79 ns |
| 下降时间 | 27 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 880pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 15 毫欧 @ 35A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252-3 |
| 其它名称 | FDD8878-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | TO-252AB |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Ta), 40A (Tc) |
| 系列 | FDD8878 |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDD8878_NL |