【未分类_IRF2907ZSTRLPBF】封装/厂家_IRF2907ZSTRLPBF中文资料_价格

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型号： IRF2907ZSTRLPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF2907ZSTRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF2907ZSTRLPBF价格参考。International RectifierIRF2907ZSTRLPBF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRF2907ZSTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF2907ZSTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 75V 75A D2PAKMOSFET MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	170 A
Id-连续漏极电流	170 A
品牌	International Rectifier
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF2907ZSTRLPBFHEXFET®
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产品型号	IRF2907ZSTRLPBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	330 W
Pd-功率耗散	330 W
Qg-GateCharge	180 nC
Qg-栅极电荷	180 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	4.5 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	4.5 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	75 V
Vds-漏源极击穿电压	75 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	7500pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	270nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	4.5 毫欧 @ 75A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D2PAK
其它名称	IRF2907ZSTRLPBF-ND
功率-最大值	300W
包装	带卷（TR）
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	D2PAK-2
工厂包装数量	800
晶体管极性	N-Channel
标准包装	800
漏源极电压(Vdss)	75V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	160A （Tc）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf2907z_s_l.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf2907z_s_l.spi