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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQU4N50TU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU4N50TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU4N50TU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQU4N50TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQU4N50TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQU4N50TU 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和功率转换应用。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):适用于AC-DC转换器、DC-DC转换器等,用于高效能电源系统中,如适配器、充电器和电源模块。 2. 电机控制:用于直流电机或步进电机的驱动电路中,实现电机的启停、调速与方向控制。 3. 负载开关:作为电子开关控制高功率负载,如LED照明、加热元件或风扇等。 4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和逆变器中作为功率开关元件,实现直流电到交流电的转换。 5. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制,保护电池组免受过流或短路损坏。 该MOSFET具备较高的耐压能力(500V)、良好的导通电阻特性及快速开关性能,适合中高功率应用场合。其TO-252封装形式便于散热和安装,广泛应用于工业控制、消费电子及汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQU4N50TU |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 460pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.7 欧姆 @ 1.3A,10V |
供应商器件封装 | I-Pak |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
标准包装 | 5,040 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.6A (Tc) |